[发明专利]基于钛酸锶/P型硅异质结的电致发光器件及制备方法无效
| 申请号： | 201110047668.8 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102157655A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 马向阳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 马士林 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 钛酸锶 型硅异质结 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SrTiO3/p-Si异质结的电致发光器件，包括衬底，衬底正面沉积有发光层和电极层，衬底背面沉积有欧姆接触电极，其特征在于，所述的衬底为P型硅片，所述的发光层为SrTiO3膜。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电极层为透明的ITO膜。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述的ITO膜厚度为140～160nm。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的欧姆接触电极为Al膜。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述的Al膜厚度为140～160nm。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的P型硅片的厚度为600～700微米，电阻率为0.001～0.01欧姆·厘米。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的SrTiO3膜的厚度为110～130nm。
8.一种制备权利要求1所述的电致发光器件的方法，包括：
在P型硅片正面通过溶胶-凝胶法沉积SrTiO3膜，利用直流溅射沉积电极层，在P型硅片的背面通过热蒸发沉积欧姆接触电极。
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