[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底和所述栅电极上形成栅绝缘膜；

在第一条件下在所述栅绝缘膜之上形成第一微晶半导体膜；

在第二条件下在所述第一微晶半导体膜之上形成第二微晶半导体膜；

在所述第二微晶半导体膜之上形成包括微晶半导体区和非晶半导体区的半导体膜；

在所述半导体膜之上形成第一杂质半导体膜；

蚀刻所述第一杂质半导体膜的一部分以形成岛状第二杂质半导体膜；

蚀刻所述第一微晶半导体膜、所述第二微晶半导体膜以及所述半导体膜的部分以形成岛状第一半导体叠层；

在所述第二杂质半导体膜之上形成一对布线；

蚀刻所述第二杂质半导体膜以形成一对杂质半导体膜；以及

蚀刻所述第一半导体叠层的一部分以形成其中层叠有微晶半导体区和一对非晶半导体区的第二半导体叠层，

其中所述第一条件是其中形成用非晶半导体填充晶粒之间的空隙的微晶半导体膜的条件，以及

其中所述第二条件是进行晶体生长的条件。

2.如权利要求1所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，在所述第一半导体叠层上形成布线之前第一半导体叠层的侧壁被暴露于等离子体，从而在所述第一半导体叠层的侧壁上形成堤岸区。

3.如权利要求1所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，还包括在形成所述第二半导体叠层之后在所述布线上形成绝缘膜的步骤，

其中在所述一对非晶半导体区之间的一区域中所述绝缘膜与所述微晶半导体区接触。

4.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底上形成第一栅电极；

在所述衬底和所述第一栅电极上形成第一栅绝缘膜；

在第一条件下在所述第一栅绝缘膜之上形成第一微晶半导体膜；

在第二条件下在第一微晶半导体膜之上形成第二微晶半导体膜；

在所述第二微晶半导体膜之上形成包括微晶半导体区和非晶半导体区的半导体膜；

在所述半导体膜之上形成第一杂质半导体膜；

蚀刻所述第一杂质半导体膜的一部分以形成岛状第二杂质半导体膜；

蚀刻所述第一微晶半导体膜、所述第二微晶半导体膜以及所述半导体膜的部分以形成岛状第一半导体叠层；

在所述第二杂质半导体膜之上形成一对布线；

蚀刻所述第二杂质半导体膜以形成一对杂质半导体膜；

蚀刻所述第一半导体叠层的一部分以形成其中层叠有微晶半导体区和一对非晶半导体区的第二半导体叠层；

在所述布线之上形成第二栅绝缘膜；以及

在所述第二栅绝缘膜之上形成第二栅电极，

其中所述第一条件是其中形成用非晶半导体填充晶粒之间的空隙的微晶半导体膜的条件，以及

其中所述第二条件是进行晶体生长的条件。

5.如权利要求4所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，在所述第一半导体叠层上形成布线之前第一半导体叠层的侧壁被暴露于等离子体，从而在所述第一半导体叠层的侧壁上形成堤岸区。

6.如权利要求4所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，在所述一对非晶半导体区之间的一区域中，所述第二栅绝缘膜与所述微晶半导体区接触。