[发明专利]新型容栅传感器结构无效
申请号: | 201110048583.1 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102155903A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 韩兴成;韩雨亭 | 申请(专利权)人: | 苏州聚元微电子有限公司 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 传感器 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种容栅传感器,特别涉及一种可防水、防外部干扰的容栅传感器结构。
背景技术
现有的容栅传感器是一种基于变面积工作原理,通过定栅和动栅的相对移动来测量位移变化,是一种电容式数字传感器,容栅传感器与其它数字式位移传感器,如光栅、感应同步器等相比,具有体积小、结构简单、分辨率和准确度高、测量速度快、功耗小、成本低等的特点,在电子测量技术中占有十分重要的地位。
目前公知的容栅传感器,主要是利用电容的耦合方式将机械位移量转变成为电信号,该电信号进入电子电路后,再经过一系列变换和运算后显示出机械位移量的大小。但在容栅传感器使用时如果现场有水、切削液等液体,溅到线路上,甚至使用者手上的汗液沾到传感器上,都有可能屏蔽电信号的传递,使容栅传感器不能正常工作,影响容栅传感器的正常使用。
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种结构简单,将位置测量传感器放置在封闭的导杆内,可以防水和外部干扰的新型容栅传感器。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种新型容栅传感器结构,其包括一导杆,所述导杆上设有一传感器安装孔,所述传感器安装孔内设有一容栅传感器,所述容栅传感器包括相互配合的动栅和定栅,所述动栅上贴有薄磁钢,所述导杆外壁上设有可沿导杆外壁滑动的磁铁,所述磁铁与所述薄磁钢相对应,所述导杆外壁的磁铁可带动所述容栅传感器的动栅上下移动,所述容栅传感器与一信号转换模块连接。
优选的,所述动栅通过一滑条与所述定栅连接,所述滑条与所述定栅固定连接,所述动栅与所述滑条滑动连接。
优选的,所述信号转换模块位于所述传感器安装孔内。
进一步的,所述信号转换模块位于所述定栅上端。
优选的,所述传感器安装孔内还设有温度传感器,所述温度传感器与所述信号转换模块连接。
上述技术方案具有如下有益效果:该容栅传感器结构利用导杆外部的磁铁和传感器安装孔内的容栅传感器动栅上薄磁钢间的吸引力,使容栅传感器的动栅跟随外部的磁铁位置变化而变化,两者之间的相对位置保持不变,动栅的位移量也就是磁铁的位移量,这样该容栅传感器在使用时,只需带动外部磁铁的移动即可实现动栅与定栅的相对运动,进而即可测出导杆外壁上磁铁的位移量。由于该容栅传感器的定栅、动栅等位置测量部件都在传感器安装孔内而不与外部接触,这样就可消除外部的干扰对容栅传感器的影响并同时具有防水等效果。该容栅传感器可以同时将温度传感器集成在一起,有利于对参数进行必要的温度补偿。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示,本新型容栅传感器包括导杆1,导杆1上设有一传感器安装孔,传感器安装孔内设有一容栅传感器,容栅传感器与一信号转换模块6连接。容栅传感器包括相互配合的动栅4和定栅5,动栅4上贴有薄磁钢,动栅4通过滑条3与定栅5连接,动栅4通过一滑条3与定栅5连接,滑条3与定栅5固定连接,动栅4与滑条3滑动连接。导杆1的外壁上设有磁铁2,磁铁2可沿导杆1上下滑动,磁铁2与动栅4上的薄磁钢相对应,磁铁2可带动容栅传感器的动栅4上下移动。
信号转换模块6也位于传感器安装孔内,位于定栅5的上端。传感器安装孔内还设有一温度传感器,温度传感器也与信号转换模块6连接,将温度传感器集成在一起,有利于对参数进行必要的温度补偿。
该容栅传感器结构在使用时,当被测物体带动导杆外部磁铁2移动时,在磁铁2与动栅4上薄磁钢的磁力作用下两者之间位置保持相对不变,即磁铁2移动将带动动栅4沿着定栅5相对运动。这样动通过信号转换模块6的输出值便可以确定导杆外部磁铁2的位移变化。
该容栅传感器结构利用导杆外部的磁铁和传感器安装孔内的容栅传感器动栅上薄磁钢间的吸引力,使容栅传感器的动栅跟随外部的磁铁位置变化而变化,两者之间的相对位置保持不变,动栅的位移量也就是磁铁的位移量,这样该容栅传感器在使用时,只需带动外部磁铁的移动即可实现动栅与定栅的相对运动,进而即可测出导杆外壁上磁铁的位移量。
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