[发明专利]一种叉指型栅结构的低功耗隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201110048595.4 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157559A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 詹瞻;黄芊芊;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 叉指型栅 结构 功耗 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗隧穿场效应晶体管，包括源、漏和控制栅，其特征在于，控制栅向源极端延展成叉指型，所述叉指型控制栅由延展出来的叉指栅区和原控制栅区组成，在延展栅区下覆盖的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料。
2.如权利要求1所述的低功耗隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述叉指栅区的总宽度小于源区有源区的注入宽度。
3.如权利要求2所述的低功耗隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述叉指栅区的栅宽为5纳米-2微米。
4.如权利要求1所述的低功耗隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述原控制栅区与漏区之间有间隙，间隙范围为5纳米-2微米之间。
5.如权利要求1所述的低功耗隧穿场效应晶体管，其特征在于，栅介质可以是二氧化硅，或者是高K栅介质材料。
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