[发明专利]电力变换装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过开关电路进行电力变换的电力变换装置。

背景技术

以往公知有通过具有IGBT等半导体开关的开关电路进行电力变换的电力变换装置。例如，作为所涉及的电力变换装置，公知有通过开关电路将直流电压变换为交流电压而输出的电压型逆变器。

在所涉及的电力变换装置中，在直流电源和开关电路之间，设置有对电压进行平滑的平滑电容器(例如，参照日本特开2007-221892号公报)。该平滑电容器被称为主电路电容器，并通过母线连接到开关电路。

但是，在连接主电路电容器和开关电路的母线上，例如会流过高频脉动电流等，从而根据集肤效应而发热。并且，当母线的长度较长时，不再能够忽视高频区域的阻抗，这也成为在开关电路的开关时产生浪涌电压的原因。

因此，期望连接主电路电容器与开关电路的母线的长度短。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出，其目的在于，使主电路电容器与开关电路之间的连接距离变短。

本申请揭示的电力变换装置的一个方式具有：开关电路，其具有半导体开关；以及主电路电容器，其连接在直流电源与上述开关电路之间。上述主电路电容器在外壳内具有：电容元件；第1布线部件，其连接上述直流电源与上述开关电路；以及第2布线部件，其连接上述电容元件与上述开关电路。

根据本申请公开的电力变换装置的一个方式，能够起到使主电路电容器与开关电路之间的连接距离变短的效果。

附图说明

图1是表示实施例1的电力变换装置的电路结构的图。

图2是用于说明实施例1的主电路电容器的内部布线的关系的图。

图3是表示实施例1的电力变换装置的外观的立体图。

图4A是实施例1的主电路电容器的分解立体图。

图4B是表示实施例1的主电路电容器的外壳的内部的透视说明图。

图4C是图4B的A-A线剖面图。

图5A是实施例2的主电路电容器的分解立体图。

图5B是表示实施例2的主电路电容器的外壳的内部的透视说明图。

图5C是图5B的B-B线剖面图。

图6是表示实施例3的电力变换装置的外观的立体图。

图7是表示实施例4的电力变换装置的外观的立体图。

图8A是实施例4的主电路电容器的分解立体图。

图8B是表示实施例4的主电路电容器的外壳的内部的透视说明图。

图8C是图8B的C-C线剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本申请公开的电力变换装置的实施例。另外，以下所示的实施例中的示例并不用来限定本发明。

【实施例1】

首先，用图1说明实施例1的电力变换装置的电路结构。图1是表示实施例1的电力变换装置的电路结构的图。

图1所示的电力变换装置1具有逆变器部20，该逆变器部20将从直流电源2向作为输入端子的第1连接部101、102输入的直流电压变换为三相交流电压，并将该三相交流电压从设置在输出端子台40的输出端子向三相电机M输出。另外，第1连接部101与直流电源2的负侧连接，第1连接部102与直流电源2的正侧连接。

逆变器部20是具有开关元件部20a～20c的开关电路，其中该开关元件部20a～20c具有串联连接的一对半导体开关。根据从控制装置3向连接器22输入的驱动信号来控制各开关元件部20a～20c。另外，作为构成各开关元件部20a～20c的半导体开关，例如可以使用IGBT或MOSFET等功率半导体元件。并且，针对各半导体开关，连接有回流二极管。

并且，在逆变器部20与输出端子台40之间，设有检测从各开关元件部20a～20c向三相电机M流过的电流的电流值的电流检测器30。控制装置3向连接器22输入与根据该电流检测器30的检测结果等相应的驱动信号。

并且，在电力变换装置1中，在直流电源2与逆变器部20之间，设有对电压进行平滑的主电路电容器10。该主电路电容器10构成为包含多个电容元件，例如具有能够对高频脉动等进行平滑的静电电容器。另外，也可以由一个电容元件构成主电路电容器10。

此处，参照图2说明主电路电容器10的结构。图2是用于说明主电路电容器10的内部布线的关系的图。