[发明专利]一种固化后封壳前的石英晶体产品的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种产品的清洗方法，特别涉及石英晶体产品降低DLD(DLD指激励功率变化同电性能变化相关性)废品率的清洗方法。

背景技术

SMD石英晶体谐振器、振荡器产品在加工过程中，存在着在加工中附着外界的污染物问题，尤其是在产品经过几道工序后在最后封壳前，外界污染物如果沾到石英晶片上后，很难除去，从而造成最终晶体产品的DLD性能不良(DLD性能是指石英晶体产品因为石英晶片受污染物污染后，随着石英晶体激励功率变化而发生的晶体电性能指标中的等效电阻和频率的变化特性，其典型反映在石英晶体产品上的电参数为：DLD2/RLD/FDLD等，业界多数以DLD2参数为典型考察值。)，降低了成品率。虽然石英晶体行业内现在采用电清洗的方法(电清洗方法为：对石英晶体元器件，采用让其大功率谐振的形式，造成其振动元件大幅度振动，从而将振动元件表面的附着物振动下来，起到清除污染物的目的。)去除石英晶片上的污染物，可暂时降低DLD废品率，但是该工艺存在两个问题：一是由于受石英晶体基座结构及晶片安装形式的影响，位于靠近基座内底部的晶片面上的污染物没有根本上去除，还会存留在晶片同基座内底之间形成的空腔内，有再次回落到晶片再次污染的可能，二是由于石英晶体在固化过程中存在着有机物的挥发，会造成污染晶片，这部分有机物的污染，电清洗是去除不掉的。

发明内容

本发明的目的在于克服已有技术的不足，提供一种可以有效的去除外界污染到石英晶片上的污染物的一种固化后封壳前的石英晶体产品的清洗方法。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种固化后封壳前的石英晶体产品的清洗方法，它包括以下步骤：

(1)固化后封壳前的至少一个石英晶体产品依次从初级清洗槽中向下一级清洗槽中直至末级清洗槽中搬运，并在每一级清洗槽中采用纯水配合超声波按照预定的时间进行超声清洗；清洗槽中的纯水首先从末级清洗槽中加入，然后依次通过泵泵入下一级清洗槽直至初级清洗槽后排放；

(2)将经过超声清洗后的所述的至少一个石英晶体产品放置在烘干槽中利用加热的惰性气体对其进行热封烘干后取出。

本发明的优点在于：

采用本方法不仅可以清洗掉石英晶片2(如图1-2所示)上下两个表面的污染物，同时可以清洗掉石英晶片下表面同基座1内底部之间的空腔部分3中积存的污染物。经检测DLD废品率可以降低1％以上，大大提高了成品率。

附图说明

图1是采用本发明方法清洗的石英晶体产品的结构示意图；

图2是图1所示的石英晶体产品的主视图；

图3是本发明的一种固化后封壳前的石英晶体产品的清洗方法的流程示意图。

具体实施方式

如图3所示的本发明的一种固化后封壳前的石英晶体产品的清洗方法，它包括以下步骤：

(1)固化后封壳前的至少一个石英晶体产品依次从初级清洗槽中向下一级清洗槽中直至末级清洗槽中搬运，并在每一级清洗槽中采用纯水(纯水的绝缘阻抗通常为10M欧姆左右)配合超声波按照预定的时间进行超声清洗；清洗槽中的纯水首先从末级清洗槽中加入，然后依次通过泵泵入下一级清洗槽直至初级清洗槽后排放；(2)将经过超声清洗后的所述的至少一个石英晶体产品放置在烘干槽中利用加热的惰性气体对其进行热封烘干后取出。在本方法中每个清洗槽中加超声波发生装置以进行超声清洗。固化后封壳前的至少一个石英晶体第一次进入的清洗槽作为初级清洗槽，为石英晶体清洗顺序的前级，石英晶体最后进入的清洗槽作为末级清洗槽，为清洗顺序的最后级。

优选的所述的步骤(1)中从初级清洗槽至末级清洗槽的个数为至少两个。

所述的清洗槽的数量以及清洗时间可以根据清除污染物的要求设置。

为了提高污染物的去除效果，优选的步骤(1)中的至少一个石英晶体产品沿竖直方向放置在每一个清洗槽中(图1所标注的产品是水平方向)。所述的至少一个石英晶体产品可以通过机械手夹持装置从一个清洗槽中依次移入下一个清洗槽中。

为了提高工作效率，多个石英晶体产品可以通过夹具放在在一起进行清洗。

对比例1

上表是未采用本发明方法清洗的晶体产品的DLD特性数据：其中DLD2(DLD是统称，衡量DLD的具体的指标有DLD2/RLD/FLD等几个指标，其中以DLD2比较有代表性，DLD2指不同激励功率下晶体表现的最大电阻值和最小电阻值之间的差。)大于10ohm的有四只合格率：80％。

实施例1