[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括具有可写存储区域的多个半导体存储器芯片，在所述可写存储区域中写入由信息处理设备请求写入的数据，所述数据具有预定单位的一个或多个第一数据的段，并且一个或多个所述第一数据的段包括第二数据，

所述装置包括：

确定单元，其被配置为确定所述第一数据的段将被写入的预定数目或更少的半导体存储器芯片；

写控制器，其被配置为将所述第一数据的段和冗余信息写入由所述确定单元确定的所述半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中，所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误；以及

存储单元，其被配置为在其中存储识别信息和区域指定信息以使所述识别信息和区域指定信息彼此相关联，所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联，并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据的段和所述冗余信息将被写入的存储区域。

2.根据权利要求1的装置，其中

所述存储单元还在其中存储使用状态信息，所述使用状态信息对每一个所述半导体存储器芯片的每一个所述存储区域指示出所述存储区域是否可写入，并且

所述确定单元通过参照所述使用状态信息来从具有所述可写存储区域的所述半导体存储器芯片中确定在通过所述识别信息而与所述冗余信息相关联的所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的所述预定数目或更少的半导体存储器芯片。

3.根据权利要求2的装置，其中

所述确定单元参照所述使用状态信息，并且当在所述预定数目的半导体存储器芯片中的每一个中存在至少一个可写存储区域时，所述确定单元确定在通过所述识别信息而与所述冗余信息相关联的所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的所述预定数目的半导体存储器芯片中的每一个中的可写存储区域，并且

所述确定单元参照所述使用状态信息，并且当在所述预定数目的半导体存储器芯片中存在不具有可写存储区域的第一半导体存储器芯片时，所述确定单元确定在通过所述识别信息而与所述冗余信息相关联的所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的除了所述第一半导体存储器芯片之外的所述预定数目或更少的半导体存储器芯片中的每一个中的可写存储区域。

4.根据权利要求1的装置，其中当所述确定单元通过参照所述使用状态信息而多次从具有所述可写存储区域的半导体存储器芯片中确定在所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的半导体存储器芯片时，所述确定单元选择性地进行对所述预定数目的半导体存储器芯片的确定和对所述预定数目或更少的半导体存储器芯片的确定。

5.根据权利要求2的装置，其中

所述使用状态信息还指示出在所述多个半导体存储器芯片中的每一个中的可写存储区域的数目，

所述装置还包括设定单元，其被配置为通过参照所述使用状态信息并根据所述可写存储区域的数目来设定在通过所述识别信息而与所述冗余信息相关联的所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的半导体存储器芯片的数目的下限，并且

所述确定单元通过参照所述使用状态信息来从具有所述可写存储区域的半导体存储器芯片中确定等于或大于所述下限且等于或小于所述预定数目的半导体存储器芯片。

6.根据权利要求2的装置，其中

所述确定单元通过参照所述使用状态信息来从具有所述可写存储区域的半导体存储器芯片中确定在通过所述识别信息而与所述冗余信息相关联的所述第二数据中所包括的所述第一数据的段将被写入的所述预定数目或更少的半导体存储器芯片中的每一个中的可写存储区域，

所述存储单元在其中存储所述识别信息和所述区域指定信息以使所述识别信息和所述区域指定信息彼此相关联，所述识别信息使所确定的第二半导体存储器芯片与所述冗余信息将被写入的第三半导体存储器芯片相关联，并且所述区域指定信息指定所述第二半导体存储器芯片中的存储区域和所述第三半导体存储器芯片中的存储区域，并且

所述写控制器通过参照所述区域指定信息而将在所述第二数据中所包括的所述第一数据的段写入所述第二半导体存储器芯片的存储区域中。

7.根据权利要求2的装置，还包括检查单元，其被配置为对所述多个半导体存储器芯片中的每一个中的每一个存储区域检查所述存储区域是否可写入，

其中所述存储单元根据检查结果而在其中存储所述使用状态信息。