[发明专利]一种毫米波倍频器及级联倍频器

权利要求书

1.一种毫米波倍频器，其特征在于包括：伪差分房大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔；所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间，所述LC串联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与地线之间，所述伪差分放大器的两输入端分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接；其中，LC并联谐振腔的谐振频率为2f₀，LC串联谐振腔的谐振频率为4f₀。

2.如权利要求1所述的倍频器，其特征在于所述伪差分放大器的偏置状态为Class-B状态；所述输入基频信号f₀为差分信号。

3.如权利要求1或2所述的倍频器，其特征在于所述伪差分放大器为伪差分共射放大器，其包括三极管Q0、三极管Q1；所述三极管Q0、三极管Q1的集电极相连作为所述伪差分放大器的输出端；所述三极管Q0、三极管Q1的发射极与地线连接；所述三极管Q0、三极管Q1的基极分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接。

4.如权利要求3所述的倍频器，其特征在于所述三极管Q0的集电极与一三极管Q4的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与一三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q4的集电极与所述三极管Q5的集电极连接，组成所述伪差分共射放大器；其中，所述三极管Q4基极、三极管Q5基极与一参考电平输入端VB连接。

5.如权利要求1或2所述的倍频器，其特征在于所述伪差分放大器为伪差分共源放大器，其包括MOS管Q0、MOS管Q1；所述MOS管Q0、MOS管Q1的漏端相连作为所述伪差分放大器的输出端；所述MOS管Q0、MOS管Q1的源端与地线连接；所述MOS管Q0、MOS管Q1的栅端分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接。

6.如权利要求5所述的倍频器，其特征在于所述MOS管Q0的漏端与一MOS管Q4的源端连接，所述MOS管Q1的漏端与一MOS管Q5的源端连接，所述MOS管Q4的漏端与所述MOS管Q5的源端连接，组成所述伪差分共源放大器，其中所述MOS管Q4栅端、MOS管Q5栅端与一参考电平输入端VB连接。

7.一种毫米波级联倍频器，其特征在于包括多个倍频器，多个所述倍频器依次通过单转双的无源变压器相连；其中，所述倍频器包括伪差分放大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔，所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间，所述LC串联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与地线之间，所述伪差分放大器的两输入端分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接；所述LC并联谐振腔的谐振频率为2f₀，所述LC串联谐振腔的谐振频率为4f₀。

8.如权利要求7所述的级联倍频器，其特征在于所述伪差分放大器的偏置状态为Class-B状态；所述输入基频信号f₀为差分信号。

9.如权利要求7或8所述的级联倍频器，其特征在于所述伪差分放大器为伪差分共射放大器，其包括三极管Q0、三极管Q1；所述三极管Q0、三极管Q1的集电极相连作为所述伪差分放大器的输出端；所述三极管Q0、三极管Q1的发射极与地线连接；所述三极管Q0、三极管Q1的基极分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接。

10.如权利要求9所述的级联倍频器，其特征在于所述三极管Q0的集电极与一三极管Q4的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与一三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q4的集电极与所述三极管Q5的集电极连接，组成所述伪差分共射放大器，其中所述三极管Q4基极、三极管Q5基极与一参考电平输入端VB连接。

11.如权利要求7或8所述的级联倍频器，其特征在于所述伪差分放大器为伪差分共源放大器，其包括MOS管Q0、MOS管Q1；所述MOS管Q0、MOS管Q1的漏端相连作为所述伪差分放大器的输出端；所述MOS管Q0、MOS管Q1的源端与地线连接；所述MOS管Q0、MOS管Q1的栅端分别与输入基频信号f₀的正端、负端连接。

12.如权利要求11所述的级联倍频器，其特征在于所述MOS管Q0的漏端与一MOS管Q4的源端连接，所述MOS管Q1的漏端与一MOS管Q5的源端连接，所述MOS管Q4的漏端与所述MOS管Q5的漏端连接，组成所述伪差分共源放大器，其中所述MOS管Q4、MOS管Q5的栅端与一参考电平输入端VB连接。