[发明专利]集成电路元件与双极结晶体管

权利要求书

1.一种集成电路元件，包括：

一半导体基板；

一鳍状结构，配置于该半导体基板上，该鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，该基极部位于该集极部与该射极部之间，其中：

该集极部为一第一掺杂区，该第一掺杂区包括一第一型掺杂物，该集极部耦接一第一端子，以对该集极部施加电偏压；

该射极部为一第二掺杂区，该第二掺杂区包括该第一型掺杂物，该射极部耦接一第二端子，以对该射极部施加电偏压；以及

该基极部为一第三掺杂区，该第三掺杂区包括一与该第一型掺杂物相反的第二型掺杂物，该基极部耦接一第三端子，以对该基极部施加电偏压；以及

一栅极结构，配置于该鳍状结构的该基极部上，该栅极结构耦接一第四端子，以对该栅极结构施加电偏压，以使该栅极结构控制一通过该基极部的电流路径。

2.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该基极部的厚度大体上小于该基极部的少数载流子的一扩散长度。

3.如权利要求1所述的集成电路元件，还包括：

一绝缘层，位于该半导体基板与该鳍状结构之间。

4.一种双极结晶体管，包括：

一半导体基板；

一鳍状结构，配置于该半导体板上；

一第一导电类型的一射极区与一集极区，配置于该鳍状结构中；

一第二导电类型的一基极区，配置于该鳍状结构中并位于该射极区与该集极区之间，该第二导电类型与该第一导电类型相反，其中该基极区电性连接一端子，以对该基极区施加电偏压；以及

一栅极结构，配置于该基极区上并位于该鳍状结构中，该栅极结构电容耦接该基极区。

5.如权利要求4所述的双极结晶体管，其中位于该鳍状结构中的该基极区包括一顶面与多个侧壁，所述多个侧壁与该顶面交叉，以及位于该基极区上的该栅极结构包括配置于该基极区的该顶面上的该栅极结构。

6.如权利要求5所述的双极结晶体管，其中位于该基极区上的该栅极结构还包括一配置于该基极区的所述多个侧壁上的部分。

7.如权利要求6所述的双极结晶体管，还包括：

一绝缘层，配置于该鳍状结构与该半导体基板之间，其中该栅极结构的配置于该基极区的所述多个侧壁上的该部分延伸入该绝缘层中。

8.如权利要求5所述的双极结晶体管，其中该基极区还包括一底面，所述多个侧壁与该底面交叉，以及该栅极结构还包括一配置于该基极区的该底面上的部分。

9.如权利要求4的所述的双极结晶体管，其中配置于该基极区上的该栅极结构缠绕位于该鳍状结构中的该基极区。

10.一种集成电路元件，包括：

一半导体基板；

一绝缘层，配置于该半导体基板上；

一鳍状结构，配置于该绝缘层上，该鳍状结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区与一第三掺杂区，该第三掺杂区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；

一栅极结构，位于该鳍状结构的该第三掺杂区上，该栅极结构横越该鳍状结构并分隔该第一掺杂区与该第二掺杂区，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区是重度掺杂有一第一掺杂类型，该第三掺杂区是轻度掺杂有一第二掺杂类型；

一第一端子，耦接该第一掺杂区；

一第二端子，耦接该第二掺杂区；

一第三端子，耦接该第三掺杂区；以及

一第四端子，耦接该栅极结构，其中对该第一端子、该第二端子、该第三端子或该第四端子至少其中之一施加偏压，以使该集成电路元件如一晶体管元件般运作。