[发明专利]半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体晶片，包括：

第一半导体芯片区，形成有一半导体元件；

第二半导体芯片区，形成有一半导体元件；以及

划片区，夹在所述第一半导体芯片区和所述第二半导体芯片区之间；

其中：

所述第一半导体芯片区包括第一金属环，该第一金属环环绕形成在所述第一半导体芯片区中的该半导体元件；

所述第一金属环由多个金属层构成，所述多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁相对于该下侧金属层的外部侧壁位于所述第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在所述下侧金属层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，还包括：

覆盖绝缘膜，覆盖所述第一金属环的最上层金属层；以及

开口，形成在所述覆盖绝缘膜中，并暴露所述最上层金属层的上表面。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片，其中，所述开口从所述最上层金属层的上表面向所述外部侧壁侧突出，并且突出部分的深度达到所述第一金属环的中间高度。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中：

该半导体晶片包括半导体基板，还包括金属环下侧绝缘膜，所述金属环下侧绝缘膜沿所述半导体基板的深度方向延伸并布置为沿高度方向低于所述第一金属环；以及

所述金属环下侧绝缘膜的端部，位于所述外部侧壁的一侧，所述金属环下侧绝缘膜的端部布置在与位于所述外部侧壁侧的所述第一金属环的最下层金属层的端部相对的所述外部侧壁侧。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中位于所述第一半导体芯片区的外侧的所述第一金属环的侧壁以所述外部侧壁的上侧部分向所述第一半导体芯片区的内侧倾斜的方式作为一个整体倾斜。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中：

所述第一半导体芯片区包括第二金属环，所述第二金属环环绕所述第一金属环并低于所述第一金属环；以及

所述第二金属环由多个金属层构成，所述多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且所述上侧金属层以如下方式，即以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁相对于该下侧金属层的外部侧壁位于所述第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在所述下侧金属层上方。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片，还包括：

覆盖绝缘膜，覆盖所述第一金属环的最上层金属层；以及

开口，形成在所述覆盖绝缘膜中，并暴露所述最上层金属层的上表面，

其中：

所述开口从所述最上层金属层的上表面向所述外部侧壁侧突出，并且突出部分的深度达到所述第一金属环的中间高度；以及

所述第二金属环暴露在所述开口的突出部分的底部上。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中：

所述半导体晶片包括第一导电类型的半导体基板，所述第一金属环的最下层金属层形成在所述半导体基板上；以及

所述第一导电类型的杂质被注入到所述半导体基板的、位于所述第一金属环的最下层金属层下方的区域中。

9.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述第一金属环的所述下侧金属层和所述上侧金属层由包括铜的层制成并通过双镶嵌形成。

10.一种半导体芯片，形成有半导体元件并包括环绕所述半导体元件的金属环，其中：

所述第一金属环由多个金属层构成，所述多个金属层包括下侧金属层和叠置在所述下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁相对于该下侧金属层的外部侧壁位于所述第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在所述下侧金属层上方。