[发明专利]铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法

权利要求书

1.一种铬二铝碳陶瓷靶材，其特征在于：所述的陶瓷靶材中铬二铝碳单相含量达到98%～99%。

2.根据权利要求1所述的铬二铝碳陶瓷靶材，其特征在于：所述的陶瓷靶材中主元素铬、铝和碳的总含量大于99.9%。

3.根据权利要求1所述的铬二铝碳陶瓷靶材，其特征在于：所述的陶瓷靶材密度达到5.1g/cm³，靶材的相对密度大于97%。

4.一种铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，包括以下步骤：

（1）将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料后，进行机械混合，得到混合均匀的原料粉末；

（2）将步骤（1）所得到的原料粉末装入石墨模具中，进行预压制坯，预压后将石墨模具移入真空热压烧结炉中；

（3）热压炉先用机械泵抽真空，再用罗茨泵抽真空至10^-1Pa，然后以5~10℃/min的升温速度升温到600~650℃，保温1~2小时，不加压；

（4）随后以10~20℃/min的升温速度，并开始不断轴向加压，当温度升高至1300~1500℃，轴向压力达到10～30MPa时，开始保温保压，保温保压2~4小时后，关闭加热电源开始降温，等炉体温度降到900-1100℃，逐渐缓慢泄压，至常压；

（5）待热压炉完全冷却至室温后，取出石墨模具得到铬二铝碳靶材坯料；

（6）对铬二铝碳靶材坯料进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。

5.根据权利要求4所述的铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的铬粉、铝粉和碳粉的纯度均大于99.9%，粒径均小于20μm。

6.根据权利要求4所述的铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的原料配比中铝粉过量10～30at%。

7.根据权利要求4所述的铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的机械混合为将原料装入球磨罐中球磨混合，球磨混合时间为10～15小时。

8.根据权利要求4所述的铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述的预压采用千斤顶进行预压，预压压力为1～3MPa。

9.根据权利要求4所述的铬二铝碳陶瓷靶材的真空热压制备方法，其特征在于：步骤（6）中，所述的机械加工为磨削加工，电加工为线切割加工；所述的清洗为将靶材放入含有除油清洗剂的纯净水中进行超声波清洗，清洗1～2小时后，换纯净水再进行超声波清洗1～2小时；洗净后将靶材放入烘箱内烘干，最后得到制备涂层用的靶材。