[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，包括：

衬底(1)；

N型氮化镓层(2)，形成在所述衬底(1)的上方；

有源层(3)，形成在所述N型氮化镓层(2)的上方；

P型氮化镓层(4)，形成在所述有源层(3)的上方；以及

透明电极(5)，形成在所述P型氮化镓层(4)的上方，

其特征在于，所述衬底(1)的下表面镀有反射层(8)。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层(8)为DBR反射镜。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层(8)的下表面镀有金属层(9)。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层(9)由以下金属：Cr、Pt和Au中的一种以上构成。

5.根据权利要求1-4任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底(1)的下表面为经抛光的光滑面。

6.一种LED芯片的制备方法，包括：

步骤a)在衬底上生长N型氮化镓层；

步骤b)在所述N型氮化镓层上生长有源层；

步骤c)在所述有源层上生长P型氮化镓层；

步骤d)在所述P型氮化镓层上生长ITO层；以及

步骤e)进行光刻，形成芯片电极，

其特征在于，在所述步骤e)之后，进一步进行以下步骤：

步骤g)在所述衬底的下表面镀反射层和金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤e)之后步骤g)之前，进一步进行以下步骤：

步骤f1)对所述衬底下表面进行研磨；

步骤f2)对经步骤f1)的所述衬底下表面进行粗抛光；以及

步骤f3)对经步骤f2)的所述衬底下表面进行精细抛光。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在6μm抛光模式下进行所述步骤f2)，抛光量大于15μm。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在所述步骤f3)中，对衬底使用SiO₂抛光液进行精细抛光。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤f3)中精细抛光时间大于30min。