[发明专利]MEMS设备有效
申请号: | 201110049686.X | 申请日: | 2011-02-28 |
公开(公告)号: | CN102194572A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 宓晓宇;丰田治;上田知史 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01G5/16 | 分类号: | H01G5/16;H01G5/40 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 设备 | ||
1.一种MEMS设备,其包括:
衬底;
固定电极,其被设置在所述衬底上并且允许信号通过其中;
可移动电极,其以面向所述固定电极的方式被设置在所述衬底上方并且允许信号通过其中;
驱动线,其被设置在所述衬底内部并且被用作施加驱动电极以移置所述可移动电极;以及
第一电阻,其被设置在形成于所述衬底内部的第一过孔中,并且被用作切断信号,
其中通过所述第一电阻将所述固定电极或者所述可移动电极连接到所述驱动线。
2.根据权利要求1所述的MEMS设备,
其中通过所述第一电阻将所述固定电极连接到所述驱动线,并且
紧贴所述固定电极下方形成所述第一电阻。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS设备,还包括第二电阻,其被设置在形成于所述衬底内部的第二过孔中,并且被用作切断信号,
其中通过所述第一电阻将所述固定电极连接到所述驱动线,且
通过所述第二电阻将所述可移动电极连接到接地线。
4.一种MEMS设备,其包括:
衬底;
固定电极,其被设置在所述衬底上并且允许信号通过其中;
可移动电极,其以面向所述固定电极的方式设置在所述衬底上方并且允许信号通过其中;
驱动线,其被设置在所述衬底内部并且被用作施加驱动电极以移置所述可移动电极;
第一电阻,其被设置在形成于所述衬底内部的第一过孔中,并且被用作切断信号;以及
驱动电极,其以面向所述可移动电极的方式被设置在所述衬底上,并且通过所述第一电阻被连接到驱动线。
5.根据权利要求4所述的MEMS设备,
其中紧贴所述驱动电极下方形成所述第一电阻。
6.根据权利要求4所述的MEMS设备,
其中通过第二电阻将所述可移动电极连接到接地线,所述第二电阻被设置在形成于所述衬底内部的第二过孔中,且被用作切断信号。
7.根据权利要求5所述的MEMS设备,
其中通过第二电阻将所述可移动电极连接到接地线,所述第二电阻被设置在形成于所述衬底内部的第二过孔中,且被用作切断信号。
8.根据权利要求4所述的MEMS设备,
其中所述固定电极包括第一固定电极和第二固定电极,且
所述第一固定电极和所述第二固定电极具有彼此面对的各个侧面。
9.根据权利要求5所述的MEMS设备,
其中所述固定电极包括第一固定电极和第二固定电极,且
所述第一固定电极和所述第二固定电极具有彼此面对的各个侧面。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的MEMS设备,
其中所述固定电极包括第一固定电极和第二固定电极,
所述第一固定电极和所述第二固定电极各自具有多个梳齿部分,并且
所述第一固定电极的所述多个梳齿与所述第二固定电极的所述多个梳齿可替换地彼此相邻配置。
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