[发明专利]高频电子变压器无效
申请号: | 201110049833.3 | 申请日: | 2011-03-02 |
公开(公告)号: | CN102130607A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 陈子杨 | 申请(专利权)人: | 陈子杨 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02M1/36;H02H7/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233318 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 电子变压器 | ||
1.一种高频电子变压器,由市电电源、全桥整流电路、高频振荡电路、启动触发电路、抗电磁干扰吸收回路和高频输出电路组成,其特征是:高频振荡电路中包括高频振荡变压器(T1)、硅晶体管BG1、硅晶体管BG2和启动触发电路。
2.根据权利要求1所述的高频电子变压器,全桥整流电路由4只硅整流二极管(D1~D4)接成全桥整流电路,其特征是:市电电源的火线端(L)、零线端(N)分别接在由4只硅整流二极管(D1~D4)构成全桥整流电路的输入端,全桥整流电路输出端的正极接电路正极(VCC),全桥整流电路输出端的负极接电路地(GND)。
3.根据权利要求1所述的高频电子变压器,高频振荡电路的特征是:硅晶体管BG1的集电极接电路正极(VCC),硅晶体管BG1的基极接高频振荡变压器绕组T1a的一端,高频振荡变压器绕组T1a的另一端同接硅晶体管BG1的发射极、高频振荡变压器绕组T1c的一端和硅晶体管BG2的集电极,硅晶体管BG2的基极接高频振荡变压器绕组T1b的一端,硅晶体管BG2的发射极同接高频振荡变压器绕组T1b的另一端和电路地(GND)。
4.根据权利要求1所述的高频电子变压器,启动触发电路的特征是:双向触发二极管(D5)的一端接硅晶体管BG2的基极,双向触发二极管(D5)的另一端同接电阻R1的一端和电容C1的一端,电阻R1的另一端接电路正极(VCC),电容C1的另一端接电路地(GND)。
5.根据权利要求1所述的高频电子变压器,抗电磁干扰吸收回路和高频输出电路的特征是:高频输出变压器初级绕组T2a的一端与电容C2的一端、电容C3的一端相连,电容C2的另一端接电路正极(VCC),电容C3的另一端接电路地(GND),高频输出变压器初级绕组T2a的另一端接高频振荡变压器绕组T1c的另一端,高频输出变压器次级绕组T2b的两端接输出端口。
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