[发明专利]低速电子射线用荧光体及荧光显示装置

权利要求书

1.低速电子射线用荧光体，其在以下述化学式(1)表示的荧光体主体上形成有附着层，其特征在于，

所述附着层为层叠于所述荧光体主体表面的多个氧化物层，

Ca_1-xSr_xTiO₃:Pr，M    (1)

(在此，M为选自Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y、La、Cs及Rb的至少一种元素，0≤x≤1)。

2.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，以化学式(1)表示的荧光体主体为CaTiO₃:Pr，Zn，Li。

3.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，以化学式(1)表示的荧光体主体为SrTiO₃:Pr，Al。

4.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，形成所述多个氧化物层的一个氧化物层为选自Gd、Pr、Y、Zn、Ta及Sr的至少一种元素的氧化物(MO1)的层。

5.权利要求4所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，所述氧化物(MO1)的附着量相对于所述荧光体主体的总量为200～2000ppm。

6.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，形成所述多个氧化物层的一个氧化物层为选自Si、Al、Mo、Sb及Ce的至少一种元素的氧化物(MO2)的层。

7.权利要求6所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，所述氧化物(MO2)的附着量相对于所述荧光体主体的总量为50～2000ppm。

8.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，形成所述多个氧化物层的一个氧化物层为选自Ti、W及Zr的至少一种元素的氧化物(MO3)的层。

9.权利要求8所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，所述氧化物(MO3)的附着量相对于所述荧光体主体的总量为400～3000ppm。

10.权利要求9所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，所述氧化物(MO2)及所述氧化物(MO3)的合计附着量相对于所述荧光体主体的总量为50～3400ppm。

11.权利要求8所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，所述氧化物(MO3)的层为附着层的最外层。

12.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，并用所述氧化物(MO2)和所述氧化物(MO3)。

13.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，层叠于所述荧光体主体表面的多个氧化物层自所述荧光体主体表面起，按照所述氧化物(MO1)、所述氧化物(MO2)及所述氧化物(MO3)的顺序层叠。

14.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，层叠于所述荧光体主体表面的多个氧化物层自所述荧光体主体表面起，按照所述氧化物(MO2)、所述氧化物(MO1)及所述氧化物(MO3)的顺序层叠。

15.权利要求1所述的低速电子射线用荧光体，其特征在于，层叠于所述荧光体主体表面的多个氧化物层自所述荧光体主体表面起，按照所述氧化物(MO2)及所述氧化物(MO3)的顺序层叠。

16.荧光显示装置，其是向形成于真空容器内的低速电子射线用荧光体层轰击低速电子射线使其发光的荧光显示装置，其特征在于，

所述低速电子射线用荧光体层为权利要求1所述的低速电子射线用荧光体的层。