[发明专利]一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线

权利要求书

1.一种CdTe纳米线，其特征在于，所述CdTe纳米线的制备方法包括以下步骤：

1)镉前驱体的制备：将无机镉盐、硬脂酸和烷基膦酸以1∶2～4∶0.5～1.5的摩尔比混合，在惰性气体保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到镉的前驱体有机金属镉；

2)碲前驱体的制备：将碲粉、三正辛基或三正丁基膦混合，在惰性气体的保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到碲的前驱体-三正辛基或三正丁基膦化碲溶液；

3)CdTe纳米线的形成：向步骤1)中的有机金属镉中加入三辛基氧膦，在惰性气体保护下加热，并快速注入步骤2)中碲前驱体三正辛基或三正丁基膦化碲溶液，使Cd元素与Te元素的摩尔比为1∶0.1～0.3，控制温降小于20℃，反应1～20min，得到CdTe纳米线。

2.一种制备CdTe纳米线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)镉前驱体的制备：将无机镉盐、硬脂酸和烷基膦酸以1∶2～4∶0.5～1.5的摩尔比混合，在惰性气体保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到镉的前驱体有机金属镉；

2)碲前驱体的制备：将碲粉、三正辛基或三正丁基膦混合，在惰性气体的保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到碲的前驱体-三正辛基或三正丁基膦化碲溶液；

3)CdTe纳米线的形成：向步骤1)中的有机金属镉中加入三辛基氧膦，在惰性气体保护下加热，并加入步骤2)中碲前驱体三正辛基或三正丁基膦化碲溶液，使Cd元素与Te元素的摩尔比为1∶0.1～0.3，控制温降小于20℃，反应1～20min，得到CdTe纳米线。

3.根据权利要求2所述制备CdTe纳米线的方法，其特征在于，所述步骤1)中烷基膦酸包括：C8～C18烷基磷酸，所述步骤1)中无机镉盐包括：Cd(Ac)₂、CdO或CdCO₃，有机金属镉包括硬脂酸镉、烷基磷酸镉；所述步骤2)中碲粉与三正辛基或三正丁基膦的质量比为1∶1～3；所述步骤3)中在惰性气体保护下加热至270～310℃。

4.包含权利要求1所述CdTe纳米线的CdTe基核壳型纳米线，其特征在于，所述CdTe基核壳型纳米线为CdTe/CdSe、CdTe/CdS、CdTe/ZnSe、CdTe/ZnTe核壳型纳米线。

5.一种制备权利要求4所述CdTe基核壳型纳米线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)CdTe纳米线的纯化与转移：在惰性气体保护下，用极性-非极性混合溶剂清洗CdTe纳米线粗产物，溶于甲苯，再转移到配位能力弱的溶剂中，得到CdTe纳米线的溶液；

2)壳体材料前驱体的制备：将金属盐类溶于三辛基或三正丁基膦或氧膦中，得到金属前驱体溶液；将非金属物质溶于三辛基或三正丁基膦或氧膦中，得到非金属前驱体溶液；

3)CdTe基核壳型纳米线的形成：将步骤1)中CdTe纳米线溶液加热，然后交替滴加步骤2)中金属前驱体溶液和非金属前驱体溶液，滴加完毕后在200～240℃下退火10～30分钟，得到CdTe基核壳型纳米线。

6.根据权利要求5所述制备CdTe基核壳型纳米线的方法，其特征在于，所述步骤1)中极性-非极性混合溶剂为甲苯和甲醇或正己烷和甲醇的混合液；所述步骤1)中配位能力弱的溶剂为十八烯、三辛基氧膦或二苯醚。

7.根据权利要求5所述制备CdTe基核壳型纳米线的方法，其特征在于，在所述的步骤1)中，所述金属盐类为锌或镉的醋酸盐、羧酸盐或有机金属盐，所述非金属物质为S粉、Se粉或Te粉。