[发明专利]一种制备黑硅方法

权利要求书

1.一种制备黑硅方法，其特征在于，包括：

对硅片表面进行清洁处理；

在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；

将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。

2.根据权利要求1所述的制备黑硅方法，其特征在于：

采用RCA标准清洗法对硅片表面进行清洁处理。

3.根据权利要求1所述的制备黑硅方法，其特征在于：

采用磁控溅射技术在硅片表面沉积纳米银颗粒。

4.根据权利要求3所述的制备黑硅方法，其特征在于，所述磁控溅射技术包括：

将硅片放入磁控溅射真空室，并抽真空至1x10^-3Pa；

以40sccm的流量向真空室通入氩气，调节真空室气压至0.5Pa；

待真空室气压稳定后，加射频功率，调节匹配器至起辉，溅射2～20秒；

溅射完成后，关闭射频电源，停止供气，抽真空至1x10^-3Pa；

关闭抽气系统，并通入氮气进真空室内至1个大气压后取出硅片。

5.根据权利要求1所述的制备黑硅方法，其特征在于：

所述纳米银颗粒掩膜中的纳米银颗粒的粒径尺寸为20～80nm。

6.根据权利要求1所述的制备黑硅方法，其特征在于，所述等离子刻蚀包括：

将硅片放入等离子体刻蚀腔中，并抽真空至1x10^-3Pa；

以40～50sccm的流量通入SF₆，并以2～10sccm的流量通入O₂；

调节高阀使等离子体刻蚀腔内的气压保持在1Pa；

上电极加频率为27.12MHz的射频功率250W，下电极加频率为13.56MHz的射频功率50W，刻蚀5～10分钟；

关闭射频电源，停止供气，抽真空至5x10^-3Pa；

关闭抽气系统，充氮气进等离子体刻蚀腔至1个大气压后取出硅片。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备黑硅方法，其特征在于：

所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。