[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一扫描线，配置于该基板上；

一数据线，配置于该基板上，该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交；

一薄膜晶体管，配置于该基板上，并且电性连接至该扫描线与该数据线；

一半导体层，配置于该基板上；

一金属电容电极，配置于该半导体层上，且该金属电容电极在该基板上的投影区域的边缘较该半导体层在该基板上的投影区域的边缘内缩；

一保护层，配置于该基板上，且覆盖该扫描线、该数据线、该薄膜晶体管、该金属电容电极以及该半导体层；

一像素电极，配置于该保护层上，并且电性连接至该薄膜晶体管，该像素电极在该基板上的投影区域与该半导体层在该基板上的投影区域不会重叠；以及

一透明电容电极，配置于该保护层上，该透明电容电极在该基板上的投影区域位于该金属电容电极在该基板上的投影区域内。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该透明电容电极在该基板上的投影区域的边缘与该金属电容电极在该基板上的投影区域的边缘的最小间距大于或等于0微米，且小于或等于6微米。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该透明电容电极在该基板上的投影区域的边缘与该金属电容电极在该基板上的投影区域的边缘的最小间距大于或等于1微米，且小于或等于4微米。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极在该基板上的投影区域的边缘与该半导体层在该基板上的投影区域的边缘的最小间距大于或等于1.6微米，且小于或等于6微米。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极在该基板上的投影区域的边缘与该半导体层在该基板上的投影区域的边缘的最小间距大于或等于2微米，且小于或等于4微米。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一栅极金属层，位于该基板上，且该栅极金属层在该基板上的投影区域至少覆盖该像素电极在该基板上的投影区域以外的其它区域。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，还包括一栅绝缘层，配置于该保护层与该基板之间，该栅绝缘层覆盖该栅极金属层。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极具有多个微狭缝。