[发明专利]电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201110051302.8 申请日: 2011-03-03
公开(公告)号: CN102201283A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 清水俊之;杉浦政幸 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/002;H01G4/38;H01L23/522;H01L27/02;H04M1/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电容器 集成 装置 高频 转换 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电容器,其特征在于,具备:

基板,具有绝缘层和半导体层,所述半导体层设置在上述绝缘层之上,包含与形成有源元件的有源区域电气性分离地设置的伪有源区域;

第一电极和第二电极,相互对置地配置在上述伪有源区域之上;以及

第一电介质部,设置在上述第一电极与上述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,

还具备设置在上述伪有源区域与上述有源区域之间的分离区域。

3.根据权利要求2所述的电容器,其特征在于,

将上述分离区域设置成从半导体层的表面达到绝缘层。

4.根据权利要求2所述的电容器,其特征在于,

从上述伪有源区域到上述分离区域设置了上述第一电极、上述第二电极和上述第一电介质部。

5.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,还具备:

第三电极和第四电极,在上述半导体层之上,包围上述第一电极和上述第二电极周边地相互对置地配置;

第二电介质部,设置在上述第三电极与上述第四电极之间;以及

接地端子,成为接地电位,

上述第三电极和上述第四电极中的某一方与上述接地端子连接。

6.根据权利要求5所述的电容器,其特征在于,

还具备设置在上述伪有源区域与上述有源区域之间的分离区域,

在上述分离区域之上设置上述第三电极、上述第四电极和上述第二电介质部。

7.根据权利要求5所述的电容器,其特征在于,

由上述第一电极、上述第二电极和上述第一电介质部构成第一结构体,

由上述第三电极、上述第四电极和上述第二电介质部构成第二结构体,

将上述第二结构体设置成包围上述第一结构体。

8.根据权利要求7所述的电容器,其特征在于,

具备多个上述第一结构体,

将上述第二结构体设置成包围上述多个第一结构体。

9.根据权利要求7所述的电容器,其特征在于,

并联上述第一结构体和上述第二结构体。

10.根据权利要求5所述的电容器,其特征在于,还具备:

第一布线;以及

第二布线,成为与上述第一布线不同的电位,

上述第一电极和上述第三电极与上述第一布线连接,

上述第二电极和上述第四电极与上述第二布线连接。

11.根据权利要求5所述的电容器,其特征在于,还具备:

第一布线;和

第二布线,成为与上述第一布线不同的电位,

上述第一电极、上述第二电极、上述第三电极和上述第四电极中的、沿上述半导体层的主面相邻的电极之间,一个电极与上述第一布线连接,另一个电极与上述第二布线连接。

12.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,

还具备导通部,上述导通部使上述第一电极和上述第二电极中的、配置在距上述伪有源区域较远的一侧的电极与上述伪有源区域电气性导通。

13.根据权利要求12所述的电容器,其特征在于,

由上述第一电极、上述第二电极和上述伪有源区域、以及设置在上述第一电极、上述第二电极和上述伪有源区域的各自之间的电介质部,构成第三结构体。

14.一种集成装置,其特征在于,具备:

基板,具有绝缘层和半导体层,所述半导体层设置在上述绝缘层之上,包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域;

有源元件,形成在上述有源区域;

第一电极和第二电极,相互对置地配置在上述伪有源区域之上;以及

第一电介质部,设置在上述第一电极与上述第二电极之间。

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