[发明专利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置

权利要求书

1.一种芯片接合薄膜，用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件，其中，

至少由第一胶粘剂层和第二胶粘剂层层叠而形成，

所述第一胶粘剂层在压接时可以将所述焊线的一部分埋没而使其通过所述第一胶粘剂层的内部，

所述第二胶粘剂层用于防止所述另一个半导体元件与焊线接触。

2.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一胶粘剂层和第二胶粘剂层各自至少由环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂形成，

设所述环氧树脂和酚醛树脂的合计重量为X重量份、丙烯酸类树脂的重量为Y重量份时，所述第一胶粘剂层的X/(X+Y)在0.5以上且0.95以下的范围内，所述第二胶粘剂层的X/(X+Y)在0.15以上且小于0.5的范围内。

3.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述芯片接合薄膜的总厚度在40μm～120μm的范围内，

设所述第一胶粘剂层的厚度为d₁(μm)、第二胶粘剂层的厚度为d₂(μm)时，d₁/(d₁+d₂)在0.6以上且0.95以下的范围内。

4.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一胶粘剂层的热固化前的120℃下的剪切损耗模量G”在5×10²Pa以上且1.5×10⁴Pa以下的范围内，

所述第二胶粘剂层的热固化前的120℃下的剪切损耗模量G”在2×10⁴Pa以上且1×10⁶Pa以下的范围内。

5.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一胶粘剂层中的金属离子含量为100ppm以下。

6.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第二胶粘剂层、或者在该第二胶粘剂层上设置其它胶粘剂层时，该其它胶粘剂层中的至少任意一个中，含有染料或颜料中的至少任意一种。

7.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一胶粘剂层的玻璃化转变温度为20℃～60℃，所述第二胶粘剂层的玻璃化转变温度为60℃以下。

8.如权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

热固化后的175℃下的拉伸储能模量在0.5MPa以上且100MPa以下的范围内。

9.一种切割/芯片接合薄膜，其具有：

在基材上至少设置有粘合剂层的切割薄膜，和

设置在所述粘合剂层上的权利要求1所述的芯片接合薄膜。

10.由权利要求1所述的芯片接合薄膜制造的半导体装置。

11.由权利要求9所述的切割/芯片接合薄膜制造的半导体装置。