[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统

说明书

技术领域

本发明提供了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。

背景技术

III-V族氮化物半导体因其物理和化学特性而已经被广泛应用于诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的发光器件的主要原料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

LED是通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或光，从而发射/接收信号的半导体器件。LED也被用作光源。

采用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于用以提供光的发光器件。例如，LED或LD被作为光源而被用于各种产品，例如，蜂窝电话的键区发光部分、电子信号牌和照明器件。

发明内容

实施例提供了一种具有新型电极结构的发光器件。

实施例提供了一种具有生长衬底和垂直型电极结构的发光器件。

根据实施例，一种发光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型半导体层，其中，第一导电类型半导体层形成在衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，第二上表面比第一上表面更靠近衬底；第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，所述至少一个第一电极通过穿过衬底至少从第一导电类型半导体层的第二上表面延伸至衬底的下表面。

根据实施例，一种发光器件包括：衬底，该衬底包括透射材料；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层的内部上的有源层和有源层上的第二导电类型半导体层，其中，第一导电类型半导体层形成在衬底上并具有从衬底的至少一侧形成台阶的外部；第二导电类型半导体层上的第二电极；以及多个第一电极，所述多个第一电极通过穿过衬底从衬底的下表面延伸至第一导电类型半导体层的外部的侧表面。

附图说明

图1是示出了根据第一实施例的发光器件的侧视剖面图；

图2是图1的平面图；

图3是图1的仰视图；

图4A和图4B是示出了图1的孔的示例的图；

图5至图10是示出了图1的发光器件的制造过程的图；

图11至图13是示出了根据实施例在沟道区内形成第一电极和孔的示例的图；

图14是示出了根据第二实施例的发光器件的侧视剖面图；

图15是示出了根据第三实施例的发光器件的侧视剖面图；

图16和图17是根据第四实施例的发光器件的侧视剖面图和平面图；

图18是示出了根据第五实施例的发光器件的侧视剖面图；

图19是示出了根据第六实施例的发光器件的侧视剖面图；

图20是示出了根据第七实施例的发光器件的侧视剖面图；

图21是示出了根据第八实施例的发光器件的侧视剖面图；

图22是示出了根据第九实施例的发光器件的侧视剖面图；以及

图23是示出了根据第十实施例的发光器件的侧视剖面图；

图24是图示了根据实施例的显示器件的图；

图25是图示了根据实施例的另一显示器件的图；以及

图26是图示了根据实施例的照明器件的图。

具体实施方式

在实施例的说明中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或者“下”时，它能“直接”或“间接”地在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域或者另一焊盘上方，或者也可以存在一个或者多个中间层。已参照附图对该种层的位置作了说明。

出于方便或清楚的目的，可放大、省略或示意性地绘制附图中所示的各层的厚度和大小。此外，每个元件的尺寸没有反映真实大小。

图1是示出了根据第一实施例的发光器件100的侧视剖面图，而图2是图1的平面图。

参照图1，发光器件100包括：衬底101、第一半导体层105、第一导电类型半导体层110、有源层115、第二导电类型半导体层120、第二电极150和152、以及第一电极160。

发光器件100包括LED，LED包括多个化合物半导体层，例如，多个III-V族化合物半导体元件。LED可以发射可见光波段中的蓝、绿或红光，或者UV波段中的光。