[发明专利]980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法

权利要求书

1.一种980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：取一镓砷衬底；

步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；

步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；

步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成脊形波导结构，同时在脊形波导结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。

2.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中下波导层为非掺杂的铝镓砷材料，其组份比例为A_0.2Ga_0.8As。

3.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中量子阱层为非掺杂的铝镓铟砷材料。

4.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中上波导层为非掺杂的铝镓砷材料，其组份比例为A_0.2Ga_0.8As。

5.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中第一P型上限制层为高掺杂的铝镓砷材料，其组份比例为A_0.4Ga_0.6As，厚度为0.1-0.4μm。

6.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中刻蚀截至层为高掺杂的P型铟镓磷材料，其组份比例为In_0.49Ga_0.51P，厚度为18-22nm。

7.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中第二P型上限制层为高掺杂的P型铝镓砷材料，其组份比例为A_0.4Ga_0.6As，厚度为1.1-1.4μm。

8.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中P型帽层为重掺杂的P型镓砷材料。

9.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中脊形波导结构的宽度为3-5μm，分布在脊形波导结构上一侧的非周期刻槽结构的宽度为0.8-1.2μm。

10.根据权利要求1所述的980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，其中多个非周期分布的刻槽结构的数量为3-20个。