[发明专利]一种二硅化钼基电热元件及其制备方法

权利要求书

1.一种二硅化钼基电热元件，其特征在于所述电热元件由下述质量百分含量的各原料制成：成型结合剂 3~6%、改性添加剂 1~3%，余量为基体材料；所述基体材料为钼硅质量比为61：39的自蔓延燃烧合成的二硅化钼粉体，成型结合剂为钠基膨润土或钙基膨润土，改性添加剂为氧化铝、氧化镁、氧化铅、氧化钡、三氧化二硼、氟化钙之中的一种或两种以上的组合。

2.如权利要求1所述的二硅化钼基电热元件，其特征在于：基体材料的最大粒径<6μm，成型结合剂的最大粒径<3μm，改性添加剂的最大粒径<3μm。

3.一种制备如权利要求1或2所述的二硅化钼基电热元件的方法，其特征在于：将基体材料、成型结合剂和改性添加剂混合后，每100质量份的混合料加13~15质量份的水，搅拌形成泥料，陈腐后，真空挤出成型制成电热元件冷热端的坯体材料，干燥后在1550~1720℃的保护气氛下进行烧结，经过表面净化处理后在1550~1580℃下成膜2~3min，然后经过热弯、机械加工和在保护气氛下感应加热扩散焊接冷热端制成成品电热元件。

4.如权利要求3所述的二硅化钼基电热元件的制备方法，其特征在于所述陈腐为：在5~10℃下恒温保存24~48h。

5.如权利要求3所述的二硅化钼基电热元件的制备方法，其特征在于：烧结时的保护气氛为氢气或氩气气氛；感应加热时的保护气氛为氩气气氛。