[发明专利]一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用

权利要求书

1.一种ZrO₂纳米点，其特征在于，涂覆在单晶基板上的、不连续的、分散均匀；高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm。

2.一种ZrO₂纳米点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制备前驱液：将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中，得到阳离子摩尔浓度为0.001-0.003mol/L的前驱液；

2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；

3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于1000～1300℃烧结100～1000分钟，得到不连续的，高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm的ZrO₂纳米点。

3.按照权利要求2的一种ZrO₂纳米点的制备方法，其特征在于，步骤1)中采用的单晶基板有一定的预切割处理，角度分别为0～20度。

4.按照权利要求2的一种ZrO₂纳米点的制备方法，其特征在于，步骤2)中采用旋涂方式将前驱液涂敷到单晶基板上时，旋转涂敷的转数为2500～5000rpm，旋涂时间为40～120s。

5.按照权利要求2的一种ZrO₂纳米点的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的保护气体为H₂气、N₂气或Ar气的一种或几种的混合。

6.一种提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制备前驱液：将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中，得到阳离子摩尔浓度为0.001-0.003mol/L的前驱液；

2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；

3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于1000～1300℃烧结100～1000分钟，得到不连续的，高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm的ZrO₂纳米点；

4)在上述步骤3)制备的涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜。