[发明专利]Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法

权利要求书

1.Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于，依次包括：设有极区的硅基底、在所述硅基底上的底层氧化硅薄膜层、在所述底层氧化硅薄膜层上的顶层氧化硅薄膜层、所述顶层氧化硅薄膜层上的氮化硅层及引线孔，所述引线孔贯穿底层氧化硅薄膜层、顶层氧化硅薄膜层，引线孔顶部周围为氮化硅层保护环。

2.如权利要求1所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述的顶层氧化硅薄膜层为增密的顶层氧化硅薄膜层。

3.如权利要求1所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述底层氧化硅薄膜层为底层热生长氧化硅薄膜层。

4.如权利要求1或2或3所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于靠近所述底层氧化硅薄膜层的部分成底部斜孔、靠近所述顶层氧化硅薄膜层的部分呈顶部斜孔，底部斜孔与顶部斜孔之间部分为中间斜孔。

5.如权利要求5所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述顶部斜孔的水平角度θ1在40～60度之间，中间斜孔的垂直角度θ2在0～10度之间，底部斜孔的水平角度θ3在30～45度之间。

6.如权利要求1或2或3所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述底层氧化硅薄膜的厚度在800～ 之间。

7.如权利要求1或2或3所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述顶层氧化硅薄膜的厚度在3500～ 之间。

8.如权利要求1或2或3所述Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于所述氮化硅薄膜 的厚度在300～ 之间。

9.Bipolar电路的引线孔结构制造方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；

(2)在步骤(1)所述底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；

(3)在所述顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；

(4)对步骤(3)所述氮化硅薄膜的部分区域进行光刻、刻蚀，所述部分区域为后续引线孔光刻窗口及引线孔光刻窗口向外延伸的部分区域，即引线孔的预刻蚀区域；引线孔的预刻蚀区域以外的氮化硅薄膜保留，形成引线孔周围的氮化硅保护环；

(5)对步骤(4)所述的引线孔的预刻蚀区域进行光刻、刻蚀，形成引线孔。

10.如权利要求9所述制造方法，其特征在于：在步骤(2)完成之后对所述顶层氧化硅薄膜层进行退火增密，然后再进行步骤(3)。

11.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于所述底层氧化硅薄膜的厚度在800～ 之间。

12.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于所述顶层氧化硅薄膜的厚度在3500～ 之间。

13.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于所述氮化硅薄膜的厚度在300～ 之间。

14.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于步骤(1)所述底层氧化硅薄膜使用常规炉管热氧化生长形成。 

15.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于步骤(2)所述顶层氧化硅薄膜采用等离子增强化学气相淀积的方式淀积形成。

16.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于步骤(4)所述的对氮化硅薄膜进行光刻方法为常规光刻工艺，刻蚀的方法为常规干法刻蚀工艺。

17.如权利要求10所述制造方法，其特征在于所述顶层氧化硅薄膜层进行增密通过低温氢氧工艺退火实现。

18.如权利要求17所述制造方法，其特征在于顶层氧化硅薄膜湿法腐蚀速率是底层氧化硅薄膜的2～3倍。

19.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于步骤(5)所述光刻工艺为：经过匀胶、曝光、显影、显影后烘烤，其中，所述匀胶的厚度在0.8～1.0um之间。

20.如权利要求9或10所述制造方法，其特征在于步骤(5)所述刻蚀工艺为：

(51)第一步打胶，以去除步骤(5)光刻工艺中的显影后残留的光刻胶底膜；

(52)干法刻蚀；

(53)第二部打胶，以除去步骤(52)的干刻过程中残留在引线孔内的聚合物；

(54)湿法刻蚀；

(55)湿法去胶。