[发明专利]新型超薄等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110053180.6 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102174208A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋仲庆;孟月东;蒋仲杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J5/22;C08F126/06;C08F112/14;C08F2/52;H01M2/16;H01M8/02 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 超薄 等离子体 聚合 阴离子 交换 制备 方法 | ||
1.一种新型超薄等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
(1)电极表面等离子体修饰以电极为等离子体聚合阴离子交换膜沉积基片，放入等离子体反应器真空室基片台，抽真空至本底气压10-3Pa以下，通Ar气至真空室压强达20Pa左右，基片负偏压控制在10-30V，在射频功率为100-300W的条件下进行射频等离子体放电，对电极表面进行等离子体修饰5-10分钟；
(2)等离子体聚合成膜反应调节Ar气流量至反应器真空室压强达10-20Pa，然后以氢气为载气向真空室通入等离子体聚合反应单体，聚合反应单体气体/H2混合气体分压控制在5-15Pa(聚合反应单体气体/H2分压比为1∶1-1∶5)，基片负偏压控制在10-30V，在射频功率为10-300W的条件下进行等离子体聚合反应，反应时间1-4小时，获得超薄等离子体聚合膜；
(3)等离子体聚合膜季铵化处理在室温下将步骤(2)中获得的等离子体聚合膜放入质量浓度为25-35wt％的三甲胺溶液中季铵化处理2-4天，然后在1-2mol L-1KOH溶液中碱化处理，最后获得超薄等离子体聚合阴离子交换膜。
2.根据权利要求1所述的等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的等离子体聚合反应单体选自2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-氯甲基苯乙烯、4-氯甲基苯乙烯中的任一种，所述的任一种单体加热挥发温度为30-60℃。
3.根据权利要求1所述的等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法，其特征在于，所述的等离子体反应器采用粒子能量可控的后辉光电容耦合或者后辉光电感耦合等离子体聚合反应装置。
4.根据权利要求3所述的等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法，其特征是，所述的等离子体反应器接有稳定、流速可控的进气系统。
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