[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有源区，在所述有源区上顺序形成栅极堆叠、以所述栅极堆叠为掩膜形成源/漏延伸区、环绕所述栅极堆叠的第一侧墙、以及以所述栅极堆叠和所述第一侧墙为掩膜形成源/漏区之后，暴露部分所述有源区；

在暴露的所述有源区上形成第一接触层；

在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙后，覆盖部分暴露的所述有源区；

在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在暴露部分所述有源区和形成第一接触层的步骤之间，还包括：去除至少部分所述第一侧墙。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在暴露的所述有源区上形成第一接触层的步骤包括：

在暴露的所述有源区中靠近所述栅极堆叠的区域上形成金属侧墙；

执行退火操作，以使所述金属侧墙与所述承载所述金属侧墙的所述有源区表面反应而形成第一接触层；

去除未反应的所述金属侧墙。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述金属侧墙的材料包括Ti、Pt、Co中的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底为硅时，所述第二接触层为NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述第二接触层为Ni(Pt)Si_2-y时，Pt的原子数百分比小于5%。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二接触层的厚度小于10nm。

9.一种半导体结构，所述半导体结构包括，栅极堆叠，所述栅极堆叠形成于有源区上且暴露剩余的所述有源区，其特征在于，还包括：

第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层嵌于所述有源区中，所述第一接触层至少覆盖部分所述有源区，所述第二接触层接于所述第一接触层；与所述第一接触层相比，所述第二接触层更远离所述栅堆叠，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：所述第一接触层的材料包括TiSi、PtSi、CoSi₂中的一种或其组合。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：所述有源区为硅时，所述第二接触层为NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于：所述第二接触层为Ni(Pt)Si_2-y时，Pt的原子数百分比小于5%。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：所述第二接触层的厚度小于10nm。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度。