[发明专利]CMOS图像传感器像素读出电路结构及像素结构有效

专利信息
申请号: 201110053326.7 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102104744A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 旷章曲;李彪;陈杰;刘志碧;唐冕 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: cmos 图像传感器 像素 读出 电路 结构
【权利要求书】:

1.CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,包括可调增益放大器,所述可调增益放大器包括运算放大器、第一电容、开关和第二电容,所述运算放大器中的一个输入管为CMOS图像传感器像素单元的读出管。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,所述CMOS图像传感器像素单元的读出管与另一输入管构成所述运算放大器的输入差分对管。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,所述CMOS图像传感器像素单元的读出管的栅极是运算放大器的正输入端,所述另一输入管的栅极是运算放大器的负输入端。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,所述开关的控制端与phi信号相连,所述开关的其它两端分别连到所述运算放大器的输出端和负输入端;

所述第一电容的两端分别接到运算放大器的输出端和负输入端;

所述第二电容的两端分别接到运算放大器的负输入端和固定电平节点上。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,所述第一电容和第二电容分别为可调电容。

6.根据权利要求1至5任一项所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,所述运算放大器为一级运算放大器或多级运算放大器。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构,其特征在于,该读出电路的工作模式通过数字电路控制,该读出电路的工作模式包括增益为1的工作模式和/或增益大于1的增益可调的工作模式。

8.一种CMOS图像传感器像素结构,其特征在于,该像素结构连接有权利1至5任一项所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构。

9.一种CMOS图像传感器像素结构,其特征在于,该像素结构连接有权利6所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构。

10.一种CMOS图像传感器像素结构,其特征在于,该像素结构连接有权利7所述的CMOS图像传感器像素读出电路结构。

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