[发明专利]存储装置、其制造方法与操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

基底；

多个堆叠结构，配置于该基底上，其中该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；

沟道元件，配置于该多个堆叠结构之间；

介电元件，配置于该沟道元件与该堆叠结构之间；

源极元件，配置于该基底的上表面与该沟道元件的下表面之间；以及

位线，配置于该沟道元件的上表面上。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中该串列选择线、该字线与该接地选择线具有第一导电型，该源极元件、该沟道元件与该位线具有第二导电型，该第一导电型与该第二导电型相反，该沟道元件的掺杂浓度小于该源极元件与该位线的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的存储装置，其中该位线、该串列选择线、该字线与该接地选择线具有第一导电型，该源极元件与该沟道元件具有第二导电型，该第一导电型与该第二导电型相反，该沟道元件的掺杂浓度小于该源极元件的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的存储装置，其中该沟道元件包括多条沟道线，该源极元件包括多条源极线，

该多个源极线中位于该堆叠结构同一侧边上的该多条沟道线下方的一个为连续地延伸，

位于该堆叠结构相对侧边上的该多条沟道线下方的该多个源极线互相分开。

5.一种存储装置的制造方法，包括：

于基底上配置多个堆叠结构，其中该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；

配置沟道元件于该多个堆叠结构之间；

配置介电元件于该沟道元件与该堆叠结构之间；

配置源极元件于该基底的上表面与该沟道元件的下表面之间；以及

配置位线于该沟道元件的上表面上。

6.如权利要求5所述的存储装置的制造方法，其中该多个堆叠结构之间具有间隙，该源极元件包括源极线，该存储装置的制造方法包括：

于该间隙露出的该基材与该多个堆叠结构上形成该介电元件；

以导电材料填充该间隙；以及

移除部分的该导电材料以形成该源极线与该沟道元件，其中该源极线与该沟道元件配置于该间隙中，该源极线与该基底通过该介电元件互相分开。

7.如权利要求5所述的存储装置的制造方法，其中该源极元件包括源极层，覆盖该基底，该存储装置的制造方法包括：

于该源极层上交错堆叠多个牺牲层与多个绝缘层；

于交错堆叠的该多个牺牲层与该多个绝缘层中形成第一开口；

于该第一开口露出的该源极层上外延形成该沟道元件；

于交错堆叠的该多个牺牲层与该多个绝缘层中形成第二开口；

移除该第二开口露出的该牺牲层以形成露出该沟道元件的狭缝；

于该狭缝露出的该沟道元件上形成该介电元件；以及

于该狭缝中填充导电材料以形成该串列选择线、该字线与该接地选择线。

8.一种存储装置的操作方法，包括：

提供存储装置，包括：

基底；

多个堆叠结构，配置于该基底上，该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；

沟道元件，包括多条沟道线，该多条沟道线配置于该多个堆叠结构之间且互相分开；

介电元件，配置于该多条沟道线与该多个堆叠结构之间；

源极元件，配置于该基底的上表面与该多条沟道线的下表面之间；以及

位线，配置于该多条沟道线的上表面上；以及

选择该多条沟道线至少之一开启。

9.如权利要求8所述的存储装置的操作方法，其中该串列选择线、该字线与该接地选择线具有第一导电型，该源极元件、该沟道线与该位线具有第二导电型，该第一导电型与该第二导电型相反，

开启该沟道线的方法包括：

施加第一偏压于选择的该沟道线相对两侧边上的该多个堆叠结构的该多个串列选择线。

10.如权利要求9所述的存储装置的操作方法，还包括施加第二偏压于未被选择而关闭的该沟道线的侧边上的该堆叠结构的该串列选择线，其中，关闭的该沟道线与开启的该沟道线共用被施加该第一偏压的该串列选择线，该第一偏压与该第二偏压正负相反。