[发明专利]显示元件及其制造方法无效
申请号: | 201110053473.4 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102184928A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 曾士豪;洪仕馨;胡至仁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;H01L23/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示元件的结构,其特征在于,包括:
一主动元件;
一保护层,覆盖该主动元件,其中该保护层中具有一第一接触窗开口,暴露出该主动元件的一部份;
一像素电极,位于该保护层上,其中该像素电极是由多个微导电结构所构成的一非薄膜形式的电极;以及
一第一导电材料,填于该第一接触窗开口内,并与被暴露出的该主动元件电性连接,其中该像素电极与该导电材料电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该些微导电结构包括彼此堆栈的细致金属丝或导电纳米管、构成一网状结构的金属丝或是纳米导电颗粒。
3.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该像素电极更包括一粘着剂,以将该些微导电结构粘着在一起。
4.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,更包括一覆盖层,覆盖该像素电极。
5.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该第一导电材料覆盖该第一接触窗开口的表面,且该像素电极覆盖该导电材料。
6.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该第一导电材料填入该第一接触窗开口。
7.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该像素电极填入该第一接触窗开口内以与该导电材料电性连接,或是未填入该第一接触窗开口与该导电材料于该保护层的表面上电性接触。
8.根据权利要求1所述的显示元件的结构,其特征在于,该第一导电材料包括一有机导电材料、含导电纳米颗粒的一导电墨水材料、一金属材料或是一金属氧化物材料。
9.根据权利要求1的所述的显示元件的结构,其特征在于,更包括:
一接垫;
该保护层覆盖该接垫,且该保护层内具有至少一第二接触窗开口,其暴露出该接垫;
一接触图案,位于该保护层上,其中该接触图案是由多个微导电结构所构成的一非薄膜形式的图案;以及
一第二导电材料,填于该第二接触窗开口内,并与被暴露出的该接垫电性连接,其中该接触图案与该第二导电材料电性连接。
10.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一主动元件;
在该基板上形成一保护层,覆盖该主动元件;
在该保护层中形成一第一接触窗开口,暴露出该主动元件的一部份;
于该保护层上形成一像素电极,其中该像素电极是由多个微导电结构构成的一非薄膜形式的电极;以及
于该第一接触窗开口内形成一第一导电材料,其中该第一导电材料与被暴露出的该主动元件电性连接,且该像素电极与该第一导电材料电性连接。
11.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法,其特征在于,该些微导电结构包括彼此堆栈的细致金属丝或导电纳米管、构成一网状结构的金属丝或是纳米导电颗粒。
12.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法,其特征在于,该像素电极更包括一粘着剂,以将该些微导电结构粘着在一起。
13.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法,其特征在于,更包括在该像素电极上形成一覆盖层。
14.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法,其特征在于,形成该像素电极与形成该第一导电材料的方法包括:
于该第一接触窗开口的表面形成该第一导电材料;以及
于形成该第一导电材料之后,在该保护层上形成该像素电极,其中该像素电极与该第一导电材料电性连接。
15.根据权利要求14所述的显示元件的制造方法,其特征在于,该像素电极填入该第一接触窗开口内以与该第一导电材料电性连接,或是未填入该第一接触窗开口而与该第一导电材料于该保护层的表面电性接触。
16.根据权利要求14所述的显示元件的制造方法,其特征在于,该第一导电材料包括一金属材料或是一金属氧化物材料。
17.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法,其特征在于,形成该像素电极与形成该第一导电材料的方法包括:
于该第一接触窗开口内填入该第一导电材料;以及
于形成该第一导电材料之后,在该保护层上形成该像素电极,其中该像素电极与该第一导电材料电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的