[发明专利]一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、太阳能电池外延材料生长环节，使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积太阳能电池外延材料，太阳能电池外延材料至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层；

(2)、使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面；

(3)、使用光刻技术和刻蚀技术将下接触层台面刻蚀到下层隔离层；

(4)、使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层；

(5)、在钝化绝缘层上使用光刻技术和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口；

(6)、使用光刻技术和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层；

(7)、使用剥离技术和退火工艺，顶接触层和下接触层之间通过电连接层实现电连接。

2.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的衬底材料是砷化镓材料。

3.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的多结p-n结结构是镓铟磷/砷化镓双结或砷化镓/锗双结或镓铟磷/砷化镓/锗三结。

4.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的顶接触层和下接触层是高掺杂的半导体材料。

5.根据权利要求3所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的高掺杂的半导体材料是高掺杂的砷化镓。

6.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的隔离层是半绝缘半导体或p-n结隔离。

7.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的隧道结是指在下接触层上生长高掺杂且很薄的p-n结构层。

8.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的刻蚀技术是感应耦合等离子体刻蚀或反应离子刻蚀或湿法刻蚀或等离子刻蚀。

9.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的沉积方法是等离子体增强化学气相淀积或微波电子回旋共振-化学气相沉积。

10.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的钝化绝缘层是纳米氧化硅薄膜或纳米氮化硅薄膜。

11.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述镀膜技术是电子束蒸发蒸镀或溅射镀膜。

12.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的太阳能电池外延材料生长环节还包括直接生长在衬底之上的腐蚀牺牲层。

13.根据权利要求1所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：还包括利用衬底剥离和薄膜转移技术结合该技术专设腐蚀牺牲层工艺，将衬底剥离，同时将太阳能电池外延材料转移至柔性薄膜衬底上。

14.根据权利要求13所述的串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述柔性薄膜衬底是聚四氟乙烯薄膜衬底或聚酰亚胺薄膜衬底或者铝箔衬底。