[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其特征在于，包括：

能够抽真空的圆筒状的处理容器；

保持多个被处理体向所述处理容器内插拔的保持单元；

向所述处理容器内供给气体的气体供给单元；和

利用等离子体使所述气体活性化的活性化单元，

其中，所述活性化单元由沿所述处理容器的长边方向配设的等离子体生成箱、沿所述等离子体生成箱配设的电感耦合型的电极、和连接到所述电感耦合型的电极的高频电源构成。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体供给单元具有用于供给所述气体的气体喷嘴，在所述等离子体生成箱内配设有所述气体喷嘴。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的外侧，沿所述处理容器的侧壁配设有所述等离子体生成箱。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的内侧，沿所述处理容器的侧壁配设有所述等离子体生成箱。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

来自所述高频电源的高频电力的频率在4MHz～27.12MHz的范围内。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述等离子体生成箱和所述电感耦合型电极之间配设有静电屏蔽。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

沿所述等离子体生成箱的侧面配设有所述电感耦合型的电极。

8.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电感耦合型的电极在所述等离子体生成箱的一端折返，沿所述等离子体生成箱的两侧壁配设。

9.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电感耦合型的电极沿所述等离子体生成箱的侧壁卷绕半匝、1匝或多匝来配设。

10.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极在途中多个位置被弯曲成为弯曲状态地配设。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极在所述侧壁上沿其长度方向配设，所述弯曲状态是将圆弧交替反向连接而成的蛇形状态。

13.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极的弯曲状态是，从所述两侧壁之内的任意一个侧壁通过所述背面壁到达另一个侧壁，在该另一个侧壁处弯曲、折返，通过所述背面壁返回所述一个侧壁，在该一个侧壁处弯曲、折返，重复这样的状态的弯曲状态。

14.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极的弯曲状态是，从所述两侧壁之内的任意一个侧壁通过所述背面壁到达另一个侧壁，在该另一个侧壁处以小的折返宽度弯曲、折返，通过所述背面壁返回一个侧壁，在该一个侧壁处以大的折返宽度弯曲、折返，对所述两侧壁重复进行这样的状态的弯曲状态。

15.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极的弯曲状态是，从所述背面壁的一端向所述两侧壁之内的任意一个侧壁延伸、弯曲、折返，在所述背面壁处再次弯曲、折返，重复进行这样的状态直到所述背面壁的另一端为止，从该背面壁的另一端向另一个侧壁延伸、弯曲、折返，在所述背面壁处再次弯曲、折返，重复进行这样的状态直到所述背面壁的一端为止的弯曲状态。

16.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极由在所述侧壁上沿其长度方向形成的1匝的主电极，和在所述两侧壁中从所述主电极分支、向所述背面壁延伸的多个分支电极构成。