[发明专利]调节交流负载功率的可控硅状态检测方法、装置及电路

说明书

技术领域

本发明涉及电器控制领域，更具体地说，涉及一种调节交流负载功率的可控硅状态检测方法、装置及电路。

背景技术

在许多控制系统中，其负载都是通过可控硅来调节加在负载上的交流电压的高低，以便于达到调节负载功率的目的。例如，在对电机调速时，通常都是将电机的线圈与交流可控硅串接之后，调节该可控硅的导通角，导通角越大，加在电机线圈上的交流电压就越接近交流电源的电压值，该电机的转速也就越快；可控硅的导通角越小，加到电机线圈上的交流电压值也就越小，其转速也就越慢。在调节负载功率对于控制系统比较重要的场合而言，例如，控制反应或加工过程中的温度，尽早知道可控硅的状态，并在发现问题时及时将负载断开是非常重要的。但是，在一般的控制系统中，通常是不能及时得知并采取相应的动作的。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述不能及时发现可控硅故障、不能及时断开负载的缺陷，提供一种可以及时发现可控硅故障、可以及时将负载由交流电源上断开的调节交流负载功率的可控硅状态检测方法、装置及电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种调节交流负载功率的可控硅状态检测方法，所述可控硅两个开关端之间并接有电压取样单元，所述电压取样单元输出其取得的电压波形到输出驱动信号控制所述可控硅导通状态的微处理器；所述检测方法包括如下步骤：

A）所述交流负载与交流电源连接，所述微处理器不输出驱动信号时，使所述可控硅不工作；

B）判断所述电压取样单元输出电压波形是否为占空比为50%的脉冲波形？如是，执行步骤C）；否则执行步骤F）；

C）所述微处理器输出驱动波形，使所述可控硅工作；

D）判断所述电压取样单元输出电压波形是否为脉冲波形，如是，执行步骤E）；否则，执行步骤G）；

E）退出本次测试；

F）判断所述可控硅开路，并跳转到步骤E）；

G）判断所述可控硅短路，并跳转到步骤E）。

在本发明所述的可控硅状态检测方法中，所述步骤F）进一步包括：

F1）第一计数值加1，并判断所述第一计数值是否大于10？如是，执行步骤F2；否则，返回步骤A）；

F2）置表示所述可控硅开路的开路标志位，并跳转到步骤E）。

在本发明所述的可控硅状态检测方法中，所述步骤G）进一步包括：

G1）第二计数值加1，并判断所述计数值是否大于10？如是，执行步骤G2；否则，返回步骤C）；

G2）置表示所述可控硅短路的短路标志位，并跳转到步骤E）。

在本发明所述的可控硅状态检测方法中，还包括如下步骤：

H）当所述短路标志位或开路标志位任意一个被置位时，所述微控制器输出相应的指示信号并输出控制信号断开所述负载与交流电源的连接。

在本发明所述的可控硅状态检测方法中，所述步骤B）中，判断所述取样单元输出波形是否为占空比为50%的脉冲波形的方法为判断所述电压取样单元的输出电压是否在一个交流电周期内高电平持续时间为该周期的一半。

在本发明所述的可控硅状态检测方法中，所述步骤D）中，判断所述取样单元输出波形是否为脉冲波形的方法为判断所述电压取样单元的输出电压是否在交流电周期内一直为低电平。

本发明还涉及一种调节交流负载功率的可控硅状态检测装置，包括：

可控硅驱动信号控制单元：用于控制所述可控硅驱动信号的输出与否；

电压波形判断单元：用于判断由所述可控硅两个开关端之间取得的电压波形；

可控硅状态判断单元：用于依据所述电压波形判断单元对所述电压波形的判断结果，得到所述可控硅当前状态。

在本发明所述的可控硅状态检测装置中，所述电压波形判断单元进一步包括用于判断所述电压波形是否为占空比为50%的脉冲波形的开路判断模块和用于判断所述电压波形是否为脉冲波形的短路判断模块；所述可控硅状态判断单元进一步包括用于在判断所述可控硅开路时将其设置的开路标志位置位的开路置位模块和用于在判断所述可控硅短路时将其设置的短路标志位置位的短路置位模块。