[发明专利]一种MOS管的制作方法及MOS管器件无效

专利信息
申请号: 201110054503.3 申请日: 2011-03-07
公开(公告)号: CN102683207A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 叶文正;王华 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/423
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 制作方法 器件
【权利要求书】:

1.一种MOS管的制作方法,其特征在于,包括:

形成所述MOS管的栅极氧化层,所述栅极氧化层的厚度为85至105埃;

形成所述MOS管的栅极;

通过离子注入形成所述MOS管的轻掺杂漏极注入LDD区,所述离子注入的方向向下与竖直方向的角度为0至10度,所述离子注入的能量为28至32千电子伏特;

形成所述MOS管的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述形成所述MOS管的栅极氧化层,所述栅极氧化层的厚度为85至105埃包括:

通过热氧化或沉积的方式形成所述MOS管的栅极氧化层,所述栅极氧化层的厚度为95埃。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,

所述离子注入的方向为竖直向下方向,所述离子注入的能量为30千电子伏特。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述MOS管为工作电压为1.5V的低压MOS管。

5.一种MOS管器件,包括MOS管,所述MOS管包括栅极氧化层、LDD区、栅极和源极,其特征在于,

所述栅极氧化层的厚度为85至105埃;

所述LDD区通过离子注入形成,所述离子注入的方向向下且与竖直方向的角度为0至10度,所述离子注入的能量为28至32千电子伏特。

6.根据权利要求5所述的MOS管器件,其特征在于,

所述栅极氧化层的厚度为95埃。

7.根据权利要求5或6所述的MOS管器件,其特征在于,

所述离子注入的方向为竖直向下方向,所述离子注入的能量为30千电子伏特。

8.根据权利要求5所述的MOS管器件,其特征在于,所述MOS管为工作电压为1.5V的低压MOS管。

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