[发明专利]一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺

权利要求书

1.一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，其特征在于：采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N₂/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率调整和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜。

2.如权利要求1所述一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，其特征在于：该制备工艺采用以下步骤：

1)采用具有脉冲电源的磁控溅射设备；

2)将经过抛光和清洗后的基体安装于真空室的可转动基体架上；

3)真空达到2×10^-3Pa后通入Ar气，分别采用脉冲电源对Zr靶和Al靶表面进行溅射清洗；

4)随后对基体进行射频等离子体清洗；

5)进行薄膜沉积：通入N₂/Ar混合气体，分别调整Zr靶与Al靶溅射功率，同时结合改变基体转动速度改变AlN单层与ZrN单层的厚度，交替溅射Zr靶与Al靶形成AlN/ZrN纳米多层膜。

3.根据权利要求1或2所述的AlN/ZrN纳米多层膜的制备工艺，其特征在于：N₂/Ar混合气体中溅射气压为0.1～1Pa，N₂/Ar流量比为0.1～0.3。

4.根据权利要求2所述的AlN/ZrN纳米多层膜的制备工艺，其特征在于：反应磁控溅射采用脉冲电源，对基体施加50-200V的负偏压。

5.根据权利要求1或2所述的AlN/ZrN纳米多层膜的制备工艺，其特征在于：Al靶功率为10W到40W之间调整，Al靶停留时间为1秒到6秒调整；Zr靶功率60W，Zr靶停留时间为10秒。