[发明专利]超级结半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：

在高浓度的第一导电型半导体基板上，通过多次反复进行非掺杂外延生长、后续的第一导电型低掺杂外延生长、第一导电型杂质和第二导电型杂质的选择性离子注入来进行堆叠，在主电流流动的元件活性部形成超级结构造部作为漂移层，该超级结构造部由具有在与所述半导体基板的主面相垂直的方向上较长的形状且在与主面平行的方向上交替邻接配置的第一导电型区域和第二导电型区域构成，在包围该元件活性部的周边耐压构造部内，在通过所述非掺杂外延生长和所述选择性离子注入形成的前半部分超级结构造部上，在通过所述第一导电型低浓度外延生长形成第一导电型低浓度外延层时，将所述第一导电型掺杂气体在半导体源气体之前向外延生长管线导入。

2.如权利要求1所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：

比半导体源气体提前20秒向外延生长管线导入第一导电型掺杂气体。

3.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，

在高浓度的第一导电型半导体基板上，通过多次反复进行非掺杂外延生长、后续的第一导电型低掺杂外延生长、第一导电型杂质和第二导电型杂质的选择性离子注入来进行堆叠，在主电流流动的元件活性部形成超级结构造部作为漂移层，该超级结构造部由具有在与所述半导体基板的主面相垂直的方向上较长的形状且在与主面平行的方向上交替邻接配置的第一导电型区域和第二导电型区域构成，在包围该元件活性部的周边耐压构造部内，在通过所述非掺杂外延生长和所述选择性离子注入形成的前半部分超级结构造部上，在通过所述第一导电型低浓度外延生长形成第一导电型低浓度外延层时，使所述第一导电型低掺杂外延生长前的氢退火处理温度和外延生长的开始温度为不足1100℃。

4.如权利要求1所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：

在所述第一导电型低掺杂外延生长前的氢退火温度和外延生长的开始温度低于1000℃的情况下开始外延生长后，在1100℃以上进行外延生长。

5.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，

在高浓度的第一导电型半导体基板上，通过多次反复进行非掺杂外延生长、后续的第一导电型低掺杂外延生长、第一导电型杂质和第二导电型杂质的选择性离子注入来进行堆叠，在主电流流动的元件活性部形成超级结构造部作为漂移层，该超级结构造部由具有在与所述半导体基板的主面相垂直的方向上较长的形状且在与主面平行的方向上交替邻接配置的第一导电型区域和第二导电型区域构成，在包围该元件活性部的周边耐压构造部内，在通过所述非掺杂外延生长和所述选择性离子注入形成的前半部分超级结构造部上，在通过所述第一导电型低浓度外延生长形成第一导电型低浓度外延层时，将所述第一导电型掺杂气体在半导体源气体之前向外延生长管线导入，并且，使所述第一导电型低掺杂外延生长前的氢退火温度和外延生长的开始温度为不足1100℃。