[发明专利]液晶显示装置无效
申请号: | 201110055373.5 | 申请日: | 2011-03-08 |
公开(公告)号: | CN102193242A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 小林君平;荒井则博 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/13357;G02F1/1368 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示装置,其特征在于,
包括:
第一基板;
第二基板,与上述第一基板对置地配置;
液晶层,设在上述第一基板和上述第二基板之间;
光源部,从上述第一基板侧向上述液晶层照射光;
电介质多层膜,设在上述第一基板的与上述第二基板对置的面;以及晶体管阵列,设在上述电介质多层膜上。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述电介质多层膜是含有氧化硅的第一层和含有氧化钛的第二层交替层叠而形成的。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述晶体管阵列含有底部栅型的薄膜晶体管,
上述薄膜晶体管的栅电极与上述电介质多层膜接触。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述栅电极与上述第一层和上述第二层中的上述第一层接触。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述栅电极由含有铬、铝及钼中任一种的遮光性金属形成。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述电介质多层膜是折射率为1.3以上且1.5以下的第一电介质和折射率为1.9以上且2.5以下的第二电介质交替层叠而形成的。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述晶体管阵列包括底部栅型的薄膜晶体管,
上述薄膜晶体管的栅电极与上述电介质多层膜接触。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述第一电介质和上述第二电介质中的上述第一电介质与上述栅电极接触。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述栅电极由含有铬、铝及钼中任一种的遮光性金属形成。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述电介质多层膜被设定为,对照射到该电介质多层膜的可见光范围的光的透射率比反射率高。
11.根据权利要求1~9中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述光源部是侧光源型的背光源,
上述光源部具有:
反射板;以及
导光板,配置在上述第一基板和上述反射板之间。
12.一种液晶显示装置,其特征在于,
具备:
第一基板;
第二基板,与上述第一基板对置地配置;
液晶层,设在上述第一基板和上述第二基板之间;
光源部,从上述第二基板侧向上述液晶层照射光;
电介质多层膜,设在上述第二基板的与上述第一基板对置的面;以及滤色器阵列,设在上述电介质多层膜上。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述电介质多层膜是含有氧化硅的第一层和含有氧化钛的第二层交替层叠而形成的。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述滤色器阵列含有遮光膜,
上述遮光膜与上述电介质多层膜接触。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述遮光膜与上述第一层和上述第二层中的上述第一层接触。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述遮光膜由含有铬及钼中任一种的遮光性金属形成。
17.根据权利要求12所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述电介质多层膜是折射率为1.3以上且1.5以下的第一电介质和折射率为1.9以上且2.5以下的第二电介质交替层叠而形成的。
18.根据权利要求17所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述滤色器阵列包含遮光膜,
上述遮光膜与上述电介质多层膜接触。
19.根据权利要求18所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述遮光膜与上述第一电介质和上述第二电介质中的上述第一电介质接触。
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