[发明专利]一种用于3寸多晶硅生长的装置及方法

权利要求书

1.一种用于3”多晶硅生长装置，其装置包括：隔板，上下传动机构，驱动电机；

2.根据权利要求1所述的一种用于3”多晶硅生长装置，其中所述隔板由石英材料制成，空心圆柱形，内径200mm，厚度10mm，高度30mm；

3.根据权利要求1所述的一种用于3”多晶硅生长方法，其特征在于下种前，启动驱动电机，将隔板下降到硅液上方预热，待隔板温度与硅液温度接近后，下降隔板至硅液面上，隔板上端高出硅液面5mm，下端浸没于硅液中，并在拉晶过程中一直保持此状态，隔板5mm以下开有若干孔隙，均匀分布于距隔板5mm以下处，用来维持硅液混合均匀；

4.根据权利要求1或2所述的一种用于3”多晶硅生长装置，其中所述上下传动机构位于炉盖右上方，用于支持隔板上下移动，以保持隔板上端始终高于硅液面5mm；

5.根据权利要求1，2或3所述的一种用于3”多晶硅生产装置，其中所述驱动电机用于支持上下传动机构。