[发明专利]一种封装的半导体芯片及其通孔的制造方法

权利要求书

1.一种制造通孔的方法，包括：

在半导体芯片上形成第一金属层，所述第一金属层位于所述半导体芯片的有效区域的外围；

在所述第一金属层上形成介质层；以及

刻蚀所述介质层直至露出所述第一金属层，从而形成至少一个彼此隔离的通孔，其特征在于，所述通孔具有平行于所述第一金属层的细长的截面，所述通孔的长度大于1μm，长宽比大于2∶1，并且所述截面的方向从所述有效区域指向所述第一金属层的靠近切割道的边缘，并且和所述切割道形成大于10度的角度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

填充所述通孔；以及

形成第二金属层，从而所述通孔在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述填充包括电镀铜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述角度为90度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀包括湿法刻蚀或者干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔的长宽比大于5∶1。

7.一种封装的半导体芯片，其特征在于，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括第一面、第二面、侧面、位于所述第一面上的有效区域、以及位于所述第一面上且位于所述有效区域外围的、用于与所述有效区域电学连接的焊盘；

第一封装单元，用于封装所述第一面；

第二封装单元，用于封装所述第二面；

多根金属线，所述多根金属线分别包括各自的基本平行于所述第二面延伸的第一部分和端部、以及基本平行于所述侧面延伸的第二部分，所述第二部分与所述焊盘电学连接；以及

多个焊球，分别与所述多根金属线的端部电学连接，

其中，所述焊盘包括至少两层金属层，以及位于所述至少两层金属层之间的多个通孔，所述多个通孔的至少靠近所述侧面的通孔分别具有平行于所述金属层的细长的截面，并且所述靠近所述侧面的通孔向所述侧面延伸至所述多根金属线的第二部分。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述多个通孔的每个分别具有平行于所述金属层的细长的截面，并且向所述侧面延伸至所述多根金属线的第二部分。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一封装单元包括基本平行于所述第一面的第一基底、以及位于所述第一基底和所述第一面之间的围墙，所述围墙用于在所述第一面和所述有效区域之间形成空腔；所述第二封装单元包括包围所述第二面和所述侧面的第一介质层、基本平行于所述第二面的第二基底、以及包围所述第一介质层和所述第二基底的第二介质层。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底是基于玻璃的。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一介质层的侧面、所述第二基底的侧面、以及所述焊盘的侧面基本位于同一平面上，所述金属线的所述第二部分与所述焊盘的所述侧面接触，并在所述第一介质层的所述侧面和所述第二基底的所述侧面上延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其特征在于，所述焊盘的所述侧面包括所述至少两层金属层的侧面和所述通孔的侧面。

13.一种光学器件，其特征在于，包括权利要求7-12中任一项所述的半导体芯片。

14.根据权利要求13所述的光学器件，其特征在于，其包括CMOS图像传感器。