[发明专利]垂直互补场效应管

权利要求书

1.垂直互补场效应管，包括至少两个MOS单元，其特征在于：还包括衬底层和设于衬底层上的中间层，该中间层与一个MOS单元对应处嵌有阱区，衬底层的PN极性与中间层相反，与阱区相同，所述的每个MOS单元包括一对PN同性电极和一个栅极，两个MOS单元的电极PN极性相反，其中一对电极设于中间层上并能在栅极控制下在中间层形成导通沟道，另一对电极设于阱上并能在栅极控制下在阱中形成导通沟道，所述的衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，衬底层的下侧设有导出端，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形成MOS单元-栓部-衬底层-导出端的两个导流通道。

2.根据权利要求1所述的垂直互补场效应管，其特征在于：所述的衬底为N+材料，中间层为P-材料，阱区为N-材料，位于中间层上的MOS单元两个电极均为N+材料，而位于阱区的MOS单元两个电极均为P+材料。

3.根据权利要求1所述的垂直互补场效应管，其特征在于：所述的衬底为P+材料，中间层为N-材料，阱区为P-材料，位于中间层上的MOS单元两个电极均为P+材料，而位于阱区的MOS单元两个电极均为N+材料。

4.垂直互补场效应管，包括至少两个MOS单元，其特征在于：还包括衬底层和设于衬底层上的中间层，两个MOS单元设于中间层上且共用一个电极，另两个电极则作为两个导入端，这三个电极的PN极性都相同且与中间层相反，所述的衬底层局部延伸入中间层形成栓部并与共用电极连通，衬底层的下侧设有导出端，衬底层与电极的PN极性相同，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形成导入端电极-共用电极-栓部-衬底层-导出端的两个导流通道。

5.根据权利要求4所述的垂直互补场效应管，其特征在于：所述的衬底为N+材料，中间层为P-材料，位于中间层上的MOS单元两个电极均为N+材料。

6.根据权利要求4所述的垂直互补场效应管，其特征在于：所述的衬底为P+材料，中间层为N-材料，位于中间层上的MOS单元两个电极均为P+材料。

7.根据权利要求4所述的垂直互补场效应管，其特征在于：在所述MOS单元的漏电极和栅极间设置轻掺杂漏区，来有效提高芯片的击穿电压。