[发明专利]限幅器以及采用限幅器的半导体器件有效
申请号: | 201110056564.3 | 申请日: | 2005-04-06 |
公开(公告)号: | CN102176238A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 加藤清 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;H01L27/02;H01L27/13;H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;卢江 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 限幅器 以及 采用 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包含:
集成电路,以及
连接到集成电路的天线,
其中集成电路包括限幅器;
所述限幅器包括晶体管;
晶体管的浮栅和控制栅彼此重叠,其间插入有绝缘膜;
晶体管的浮栅是电浮动的并且被配置成聚集电荷;
晶体管的漏极被连接到控制栅;以及
在浮栅中聚集的电荷量通过晶体管的控制栅和源极之间的电压来控制。
2.一种半导体器件,包含:
集成电路;以及
连接到集成电路的天线,
其中集成电路包括限幅器、用来控制限幅器的极限电压的脉冲发生电路、以及用来向脉冲发生电路供应电源电压的升压电路;
所述限幅器包括晶体管;
晶体管的浮栅和控制栅彼此重叠,其间插入有绝缘膜;
浮栅是电浮动的并且被配置成聚集电荷;
晶体管的控制栅被连接到脉冲发生电路;
晶体管的漏极被连接到脉冲发生电路;且
漏极被连接到输入端子和输出端子。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中晶体管是薄膜晶体管。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件,还包含衬底和覆盖材料,
其中覆盖材料与衬底重叠以便覆盖集成电路和天线。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件,还包括被配置成引入层的衬底、第一覆盖材料和第二覆盖材料,
其中集成电路和天线在衬底上形成,以及
其中衬底被夹在第一覆盖材料和第二覆盖材料之间。
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