[发明专利]分栅闪存单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201110057567.9 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102169854A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;G11C16/04;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有选择栅栅介质层、选择栅电极层；
依次刻蚀所述选择栅电极层、选择栅栅介质层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；
在所述沟槽表面依次形成隧穿氧化层、存储层、顶部氧化层，以及填充满所述沟槽的字线；
在字线两侧形成选择栅；
在选择栅两侧形成源、漏区。
2.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述存储层的材料为硅纳米晶。
3.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述硅纳米晶的颗粒直径为5-20nm。
4.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述硅纳米晶的形成工艺为低压化学气相沉积工艺或者炉管纳米晶生长方法。
5.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，形成所述硅纳米晶的工艺参数为，温度500-1200℃，气压0.001-0.5torr，反应气体为SiH4、PH3、He，反应气体流量为20-500sccm。
6.依据权利要求3的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，形成选择栅的步骤包括：在字线和选择栅电极层表面形成侧墙介质层；依次刻蚀所述侧墙介质层和选择栅电极层，形成覆盖字线侧壁的侧墙和选择栅。
7.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为10-50埃。
8.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述顶部氧化层的厚度为70-120埃。
9.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，沟槽深度的范围是100-1000埃。
10.一种分栅闪存单元，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；
依次形成在所述沟槽表面的隧穿氧化层、存储层、顶部氧化层，以及填充满所述沟槽的字线；
形成于半导体衬底表面，且位于字线两侧的选择栅；
形成于选择栅两侧的源、漏区。
11.依据权利要求10的分栅闪存单元，其特征在于，所述存储层的材料是硅纳米晶。
12.依据权利要求10的分栅闪存单元，其特征在于，所述硅纳米晶的颗粒直径为5-20nm。
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