[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，特别有关于具有防电磁干扰(EMI)的屏蔽结构的晶片封装体及其形成方法。

背景技术

随着晶片封装体尺寸日益轻薄短小化及晶片的信号传递速度的日益增加，电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)及/或静电放电对于晶片封装体的影响也更趋严重。由于晶片尺寸持续缩小化，晶片封装体中的接地线路的设计更为重要。此外，信号线路的品质直接影响晶片的运作，因此业界亟需于提供防电磁干扰(EMI)的屏蔽结构的同时，还能确保信号线路的品质。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底；一信号导电垫，设置于该基底之上；一接地导电垫，设置于该基底之上；一第一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该信号导电垫，其中该第一导电层自该基底的一上表面沿着该基底的一第一侧面朝该基底的一下表面延伸，且该第一导电层突出于该下表面；一第二导电层，设置于该基底之上，且电性连接该接地导电垫，其中该第二导电层自该基底的该上表面沿着该基底的一第二侧面朝该基底的该下表面延伸，且该第二导电层突出于该下表面；以及一保护层，设置于该基底之上，其中该保护层完全覆盖该第一导电层的位于该基底的该第一侧面上的全部部分，且该第二导电层的位于该基底的该第二侧面上的全部部分未被该保护层所覆盖。

本发明所述的晶片封装体，该保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层直接接触该第二保护层而于该第一保护层与该第二保护层之间形成一接触界面。

本发明所述的晶片封装体，该第一导电层的一侧面与该接触界面共平面。

本发明所述的晶片封装体，该第二保护层完全覆盖该第一导电层的该侧面。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一承载基板，设置于该基底的该下表面之上；以及一间隔层，设置于该承载基板与该基底的该下表面之间。

本发明所述的晶片封装体，该第一导电层及该第二导电层延伸进入该间隔层。

本发明所述的晶片封装体，部分的该保护层延伸进入该间隔层。

本发明所述的晶片封装体，还包括一第一导电凸块，设置于该基底的该上表面上，其中该第一导电凸块电性连接该第一导电层。

本发明所述的晶片封装体，还包括一第二导电凸块，设置于该基底的该上表面上，其中该第二导电凸块电性连接该第二导电层。

本发明所述的晶片封装体，该第一导电层与该信号导电垫之间的一接触区域位于该第一导电层的一顶端与一底端之间，且该第二导电层与该接地导电垫之间的一接触区域位于该第二导电层的一顶端与一底端之间。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，其中一信号导电垫及一接地导电垫设置于该基底之上；自该基底的一上表面移除部分的该基底以形成朝该基底的一下表面延伸的一第一孔洞及一第二孔洞，其中该第一孔洞露出该信号导电垫，而该第二孔洞露出该接地导电垫；于该基底的该上表面上形成一第一导电层，其中该第一导电层延伸至该第一孔洞的侧壁与底部上而与该信号导电垫电性连接，且该第一导电层突出于该下表面；于该基底的该上表面上形成一第二导电层，其中该第二导电层延伸至该第二孔洞的侧壁与底部上而与该接地导电垫电性连接，且该第二导电层突出于该下表面；于该基底的该上表面上形成一图案化保护层，其中部分的该图案化保护层填入该第一孔洞而覆盖该第一孔洞中的该第一导电层；进行一第一切割制程以切割移除该第一孔洞中的部分的该图案化保护层与该第一孔洞的底部上的部分的该第一导电层而使该第一导电层的一侧面于该第一孔洞中露出，以及切割移除该第二孔洞的底部上的部分的该第二导电层；于该基底的该上表面上形成一第二图案化保护层，其中该第二图案化保护层填充于该第一孔洞之中，且覆盖位于该第一孔洞中的该图案化保护层及该第一导电层的该侧面；以及进行一第二切割制程以切割移除该第一孔洞中的部分的该第二图案化保护层，且形成分离的复数个晶片封装体，其中该第一孔洞中所留下的该第二图案化保护层覆盖该第一导电层的该侧面。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括在形成该第一孔洞及该第二孔洞之前，于该基底的该下表面上设置一间隔层。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该间隔层上设置一承载基板。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该第一孔洞及该第二孔洞延伸进入该间隔层。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该第一切割制程包括切割移除该第一孔洞的底部及该第二孔洞的底部下方的部分的间隔层。