[发明专利]制造MEMS器件的方法以及MEMS器件

权利要求书

1.一种制造器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极，所述第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；

在所述第一电极上形成牺牲层，所述牺牲层具有第一倾斜边缘，所述第一倾斜边缘和所述第一倾斜端部彼此叠置，使得所述第一倾斜边缘的厚度随着所述第一倾斜端部的厚度增加而减小；

在所述第一电极上形成第一隔离体，所述第一隔离体与所述第一倾斜边缘接触；

在所述牺牲层和所述第一隔离体上形成梁电极；以及

在形成所述梁电极以后去除所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的一部分布置在所述衬底上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述器件被用在微机电系统中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

在形成所述第一电极时形成第二电极，所述第二电极与所述第一电极分开布置在所述衬底上，所述第二电极具有与所述第一电极的所述第一倾斜端部相对的第二倾斜端部，

所述牺牲层被形成为使得所述牺牲层的第二倾斜边缘以如下所述的方式与所述第二电极叠置：所述第二倾斜边缘的厚度随着所述第二倾斜端部的厚度增加而减小，

在形成所述第一隔离体时形成第二隔离体，所述第二隔离体被形成在所述第二电极上并且与所述第二倾斜边缘接触。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述牺牲层的一部分布置在所述衬底上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第二倾斜端部的边缘布置在具有与所述牺牲层的厚度相等的宽度的区域中，所述宽度的中心位置与所述第一倾斜端部的顶点的位置相对应。

7.根据权利要求4所述的方法，其中

所述第二倾斜端部的末端布置在具有与所述牺牲层的厚度等同的宽度的区域中，所述宽度的中心位置与所述第一倾斜端部的顶点的位置相对应。

8.根据权利要求6所述的方法，其中

所述牺牲层被形成为使得，所述第一倾斜边缘的顶点布置在高于所述第一倾斜端部的顶点的位置处。

9.根据权利要求7所述的方法，其中

所述牺牲层形成为使得，所述第一倾斜边缘的顶点布置在高于所述第一倾斜端部的顶点的位置处。

10.根据权利要求6所述的方法，其中

所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，

所述第一牺牲层利用剥离工艺形成，

所述第二牺牲层利用刻蚀工艺形成在所述第一牺牲层上。

11.根据权利要求7所述的方法，其中

所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，

所述第一牺牲层利用剥离工艺形成，

所述第二牺牲层利用刻蚀工艺形成在所述第一牺牲层上。

12.根据权利要求8所述的方法，其中

所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，

所述第一牺牲层利用剥离工艺形成，

所述第二牺牲层利用刻蚀工艺形成在所述第一牺牲层上。

13.根据权利要求9所述的方法，其中

所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，

所述第一牺牲层利用剥离工艺形成，

所述第二牺牲层利用刻蚀工艺形成在所述第一牺牲层上。

14.一种器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一电极，所述第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；

形成在所述第一电极上的牺牲层，所述牺牲层具有第一倾斜边缘，所述第一倾斜边缘和所述第一倾斜端部彼此叠置，使得所述第一倾斜边缘的厚度随着所述第一倾斜端部的厚度增加而减小；

形成在所述第一电极上的第一隔离体，所述第一隔离体具有第三倾斜端部，所述第三倾斜端部的厚度随着所述第一倾斜端部的减小而减小；以及

形成在所述隔离体上的梁电极。

15.根据权利要求14所述的器件，其中所述第一倾斜端部和所述第三倾斜端部之间的距离随着所述第一倾斜端部的厚度的减小而增加。