[发明专利]应变Ge沟道器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110058128.X | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102184954A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 ge 沟道 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种应变Ge沟道器件，其特征在于，包括：
表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；
形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，所述Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；
形成在所述Ge层之上的栅堆叠；和
形成在所述栅堆叠之下的沟道区，以及形成在沟道区两侧的漏极和源极，其中，所述漏极和源极为SiGe1-xCx以使所述沟道区产生张应变，其中，0≤x≤1。
2.如权利要求1所述的应变Ge沟道器件，其特征在于，所述应变Ge沟道器件为NMOS器件。
3.如权利要求1所述的应变Ge沟道器件，其特征在于，所述第一钝化薄层为锶锗化物薄层、钡锗化物薄层、GeSi钝化薄层或Si薄层。
4.如权利要求1所述的应变Ge沟道器件，其特征在于，还包括：
形成在所述Ge层之上的第二钝化薄层，所述第二钝化薄层为锶锗化物薄层、钡锗化物薄层或GeSi钝化薄层。
5.如权利要求1所述的应变Ge沟道器件，其特征在于，所述氧化物绝缘层和所述Ge层之间通过键合方式相连。
6.一种应变Ge沟道器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一衬底之上形成Ge层；
对所述Ge层的第一表面进行处理以形成第一钝化薄层；
将所述第一衬底、所述Ge层及所述第一钝化薄层翻转并转移至表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；
去除所述第一衬底；
在所述Ge层之上形成栅堆叠；
刻蚀所述栅堆叠两侧的所述Ge层以形成源区凹槽和漏区凹槽；和
在所述源区凹槽和漏区凹槽之中分别形成SiGe1-xCx源漏区，以及对所述SiGe1-xCx源漏区进行掺杂以形成SiGe1-xCx源漏极，其中，0≤x≤1。
7.如权利要求6所述的应变Ge沟道器件的形成方法，其特征在于，所述应变Ge沟道器件为NMOS器件。
8.如权利要求6所述的应变Ge沟道器件的形成方法，其特征在于，所述第一钝化薄层为锶锗化物薄层、钡锗化物薄层、GeSi钝化薄层或Si薄层。
9.如权利要求6所述的应变Ge沟道器件的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述Ge层及所述源极和漏极之上形成第二钝化薄层，所述第二钝化薄层为锶锗化物薄层、钡锗化物薄层或GeSi钝化薄层。
10.如权利要求6所述的应变Ge沟道器件的形成方法，其特征在于，所述氧化物绝缘层和所述Ge层之间通过键合方式相连。
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