[发明专利]具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法有效
| 申请号： | 201110058199.X | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148183A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 氧化 soi 形成 方法 | ||
1.一种具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一半导体衬底的第一区域形成沟槽；
在所述沟槽中形成第一氧化层，所述第一氧化层的表面与所述第一半导体衬底的第二区域的表面齐平；
提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的表面形成有第二氧化层；
将所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底键合，所述第一氧化层和所述第二氧化层形成阶梯型氧化埋层。
2.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，使用热氧化法形成所述第一氧化层。
3.一种具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一半导体衬底的第一区域形成沟槽；
在所述沟槽中形成第一氧化层，所述第一氧化层的表面高于所述第一半导体衬底的第二区域的表面；
在所述第一半导体衬底的第二区域形成第三氧化层，所述第三氧化层的表面与所述第一氧化层的表面齐平；
提供第二半导体衬底，将其与所述第一半导体衬底的第一氧化层和第三氧化层键合。
4.如权利要求3所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，使用热氧化法形成所述第一氧化层和第三氧化层。
5.如权利要求1或3所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，所述在所述第一半导体衬底的第一区域形成沟槽包括：
对所述第一半导体衬底的第一区域的表面部分进行氧化，形成第四氧化层；
去除所述第四氧化层。
6.如权利要求5所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，使用热氧化法形成所述第四氧化层。
7.如权利要求5所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，使用湿法刻蚀去除所述第四氧化层。
8.如权利要求7所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中使用的反应溶液为氢氟酸溶液。
9.如权利要求5所述的具有阶梯型氧化埋层的SOI的形成方法，其特征在于，所述对所述第一半导体衬底的第一区域的表面部分进行氧化包括：
在所述第一半导体衬底的表面上形成掩膜层并图形化，定义出所述第一区域的图形；
以所述图形化后的掩膜层为掩膜，对所述第一半导体衬底的第一区域的表面部分进行氧化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
