[发明专利]气体分散装置以及包括该气体分散装置的基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

处理室，通过室盖和室主体的组合提供反应空间；

气体分散装置，其包括在所述处理室中的板和喷射部，所述喷射部包括在所述板中的多个通孔和与所述多个通孔流体连接的放电部，所述放电部具有矩阵形状并提供对等离子体放电的空间；和

在所述处理室中的基座，所述基座面对所述气体分散装置，并且基板位于所述基座上。

2.如权利要求1的基板处理设备，其中所述多个通孔包括多个第一通孔和多个第二通孔，所述多个第二通孔中每一个的直径小于所述多个第一通孔中每一个的直径。

3.如权利要求2的基板处理装置，其中所述多个第一通孔中的每一个和所述多个第二通孔中的每一个的其中之一与所述放电部连接。

4.如权利要求2的基板处理设备，其中所述板包括第一和第二表面，其中所述气体分散装置包括在所述板的第一表面和所述室盖之间的缓冲空间，其中所述缓冲空间容纳处理气体并且与所述多个第一通孔流体连接，其中所述板的第二表面面对所述基座。

5.如权利要求4的基板处理设备，其中所述多个第一通孔从所述板的第一表面向所述板的第二表面延伸，其中所述放电部与所述多个第二通孔流体连接并延伸到所述板的第二表面，其中所述多个第二通孔被设置在所述多个第一通孔和所述放电部之间。

6.如权利要求2的基板处理设备，其中所述放电部包括：

沿着水平方向穿过所述多个第二通孔的多个第一水平沟槽；和

沿着垂直方向穿过所述多个第二通孔的多个第一垂直沟槽。

7.如权利要求6的基板处理设备，其中所述多个第一水平沟槽和多个第一垂直沟槽中每一个的宽度大于所述多个第二通孔中每一个的直径。

8.如权利要求7的基板处理设备，其中所述放电部还包括：

在所述多个第一水平沟槽之间且没有穿过所述多个第二通孔的多个第二水平沟槽；和

在所述多个第一垂直沟槽之间且没有穿过所述多个第二通孔的多个第二垂直沟槽。

9.如权利要求8的基板处理设备，其中所述多个第一水平沟槽和多个第一垂直沟槽中每一个的宽度不同于所述多个第二水平沟槽和多个第二垂直沟槽中每一个的宽度。

10.一种基板处理设备，包括：

通过室盖和室主体的组合而提供反应空间的处理室；

在所述室盖的内表面上的多个等离子体源电极；

分别在所述多个等离子体源电极中的多个第一气体分散装置，所述多个第一气体分散装置中的每一个都包括容纳第一处理气体的第一缓冲空间、与所述第一缓冲空间流体连接的多个第一通孔、和与所述多个第一通孔流体连接的第一放电部，所述第一放电部具有矩阵形状且提供对所述第一处理气体的第一等离子体放电的第一空间；和

在所述处理室中的基座，所述基座面对所述多个等离子体源电极。

11.如权利要求10的基板处理设备，还包括在所述室盖和所述多个等离子体源电极之间的多个绝缘装置。

12.如权利要求11的基板处理设备，其中所述多个等离子体源电极中的每一个都包括第一和第二表面，其中所述多个等离子体源电极中每一个的第一表面与所述多个绝缘装置接触，所述多个等离子体源电极中每一个的第二表面面对所述基座。

13.如权利要求10的基板处理设备，其中所述第一放电部包括：

沿着水平方向穿过所述多个第一通孔的多个第一水平沟槽；和

沿着垂直方向穿过所述多个第一通孔的多个第一垂直沟槽。

14.如权利要求13的基板处理设备，其中所述第一放电部还包括：

在所述多个第一水平沟槽之间且没有穿过所述多个第一通孔的多个第二水平沟槽；和

在所述多个第一垂直沟槽之间且没有穿过所述多个第一通孔的多个第二垂直沟槽。

15.如权利要求10的基板处理设备，还包括多个突起电极，所述多个突起电极与所述多个等离子体源电极交替且用作接地电极。

16.如权利要求11的基板处理设备，其中所述多个绝缘装置中的每一个都包括插入部分，在所述插入部分插入和组合所述多个等离子体源电极中的每一个。