[发明专利]存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201110058518.7 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102201453A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 池育德;林崇荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 非易失性存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种存储器单元，包括：
一基板，具有一源极区及一漏极区；
一控制栅极，设置在该基板上；以及
一电荷存储层，设置在该基板及该控制栅极间，
其中该电荷存储层包括一具有多个纳米晶体的绝缘材料，以及
该控制栅极由一单一多晶硅层组成。
2.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述多个纳米晶体包括硅或锗。
3.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述多个纳米晶体的直径范围在1nm至10nm。
4.如权利要求1所述的存储器单元，其中该电荷存储层的厚度为70埃至400埃。
5.如权利要求1所述的存储器单元，其中该存储器单元为闪存式存储器单元。
6.如权利要求1所述的存储器单元，其中该漏极区连接位线，且该控制栅极连接至字线。
7.如权利要求1所述的存储器单元，还包括一沟道区设置在源极区及漏极区间。
8.一种非易失性存储器装置，包括：
一半导体基板，具有一源极区及一漏极区，其中该漏极区连结为位线，且该控制栅极连结为字线；
一沟道区，设置在该源极及漏极区间；
一电荷存储层，形成在该沟道区上；以及
一控制栅极，形成在电荷存储层上，该电荷存储层的厚度为70埃至400埃，
其中该电荷存储层包括一具有多个导电纳米晶体的绝缘材料，其中所述多个纳米晶体包括硅或锗，其直径范围在1nm至10nm。
9.一种形成非易失性存储器装置的方法，包括：
提供一半导体基板；
在该半导体基板中形成源极及漏极区，该源极及漏极区由一沟道区分开；
在该基板上形成一电荷存储层，该电荷存储层设置在该源极及漏极区间；以及
在该电荷存储层上形成一控制栅极，该控制栅极包括一单一多晶硅层，
其中该电荷存储层包括多个纳米晶体。
10.如权利要求9所述的方法，其中在所述多个纳米裸片在电荷存储层的化学气相沉积时，借自我组装而形成。
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