[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110058557.7 申请日: 2011-03-08
公开(公告)号: CN102194762A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 川城史义 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/36;H01L23/48;B28D5/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

作为一种半导体器件,已知BGA(球栅阵列)类型半导体器件。这种类型半导体器件具有互连衬底,半导体芯片,布线,密封树脂,散热器(也称作“散热装置”)和一组球形电极。

已知一种制造MAP(模塑阵列封装)类型半导体器件的方法。在这种类型中,半导体芯片安装在互连衬底的正面上。在互连衬底的正面上执行引线键合使得互连衬底和半导体芯片通过布线电连接。散热器设置在半导体芯片上方以面对互连衬底的正面。密封树脂被注入在互连衬底和散热器之间。当固化密封树脂时,形成其中半导体芯片和布线通过互连衬底和散热器之间的密封树脂密封的树脂密封结构。在互连衬底的背面上形成一组球形电极。

之后,通过盘形刀片从互连衬底背面侧切开树脂密封结构。通过将树脂密封结构切开成矩阵形状,获得多个半导体器件。

示例专利文献1(JP H11-214596A)作为公开与MAP类型半导体器件相关的技术的技术。此外,在专利文献2(JP 2006-294832A)中,公开了一种涉及形成散热器的方法的技术。在专利文献3(JP 2003-249512A)中,描述了使用盘形刀片切割树脂密封结构整体。而且,在专利文献4(JP 2000-183218A)、专利文献5(JP 2003-37236A)和专利文献6(JP H04-307961A)中,公开了一种切割技术。

引用文献:

[专利文献1]:JP H11-214596A

[专利文献2]:JP 2006-294832A

[专利文献3]:JP 2003-249512A

[专利文献4]:JP 2000-183218A

[专利文献5]:JP 2003-37236A

[专利文献6]:JP H04-307961A

发明内容

但是,当通过刀片从互连衬底侧一次切开树脂密封结构时,由于散热器(或者例如铜)柔软并且可延展,因此导致在切割边缘部分处形成毛刺。由于毛刺导电,因此如果半导体器件被安装在具有毛刺的安装板上或剥落的毛刺片粘附到半导体器件,则可能在电极之间或者在安装板的互连之间形成短路。因此必须抑制毛刺突出。

本发明提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法,其中抑制了毛刺的突出。

在本发明的一个方面,提供了一种制造半导体器件的方法,其中树脂密封结构包括互连衬底板、安装在互连衬底板上的半导体芯片、布置在半导体芯片上方的散热片、和设置在散热片和互连衬底板之间的密封树脂。该方法通过以下步骤实现:用板状切割刀片在第一方向上沿着第一散热片切割线切割散热片;在用板状切割刀片在第一方向上进行切割之后,用板状切割刀片在与第一方向正交的第二方向上沿着与第一散热片切割线正交的第二散热片切割线切割散热片;以及用衬底板切割刀片分别在第一方向和第二方向上沿着第一和第二互连衬底板切割线切割互连衬底板和密封树脂,以将密封树脂结构分成半导体器件,该半导体器件中的每一个都包括互连衬底、安装在互连衬底上的半导体芯片、设置为覆盖半导体芯片和互连衬底的密封树脂、以及散热器。第二散热片切割线和第二互连衬底板切割线在与第一方向和第二方向正交的第三方向上在位置上相互对应。第一散热片切割线在与第二方向相反的方向上从第一互连衬底板切割线移位预置移位量。

在本发明的另一方向中,一种半导体器件包括安装在互连衬底的正表面上的半导体芯片;布置在半导体芯片上方的散热器;和设置在散热器和互连衬底之间的密封树脂。散热器的中心在预定方向上从互连衬底的中心移位预置移位量。

根据本发明,当切割散热片时,能够防止散热器的毛刺突出到互连衬底的位置之外,同时抑制在从散热器朝向互连衬底的方向上延伸的散热器毛刺和在从互连衬底朝向散热器的方向上延伸的散热器毛刺。

附图说明

结合附图,根据某些实施例的以下描述,本发明的上述和其他目的、优势和特征将更加明显,附图中:

图1是示出根据本发明的实施例的半导体器件结构的截面图;

图2是示出制造根据本发明的实施例的半导体器件的方法的流程图;

图3A是根制本发明的实施例的方法中的互连衬底板的顶视图;

图3B是根据本发明实施例的制造方法中的互连衬底板和半导体芯片的截面图;

图3C是根据本发明的实施例的制造方法中的互连衬底板、半导体芯片和键合线的截面图;

图3D是根据本发明的实施例的制造方法中的树脂密封结构的截面图;

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