[发明专利]初级控制恒流恒压变换器

权利要求书

1.一种初级控制恒流恒压变换器，其特征在于，所述变换器包括：变压器(17)，初级高压隔离及驱动单元(27)，采用峰值电流模式PFWM的控制芯片(26)，起动电阻(11)，旁路电源整流二极管(12)，旁路电源电容(13)，第一分压电阻(24)，第二分压电阻(25)，表示次级绕组的阻抗损耗的次级电阻(21)，次级整流管(22)，输出电容(23)；

变压器(17)包括三个绕组：初级绕组(18)，次级绕组(19)及辅助绕组(20)；

控制芯片(26)包括第一晶体管(28)、第二晶体管(29)、PFWM控制单元(30)；

所述第一晶体管(28)的漏极通过控制芯片(26)的端口OUT连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的基极B，源极连接到VDD端口，栅极由PFWM控制单元(30)控制；

所述第二晶体管(29)的源极连接到控制芯片(26)的端口GND，漏极通过端口SW连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的发射极E，栅极由PFWM控制单元(30)控制；

控制芯片(26)根据从端口FB的采样得到的信号，通过PFWM控制单元(30)进行处理并对由初级绕组(18)、初级高压隔离及驱动单元(27)及第二晶体管(29)组成的通路中的开关管(29)进行开关占空比及频率控制，实现次级的恒流恒压输出；

当作为开关的第一晶体管(28)、第二晶体管(29)闭合时，第一晶体管(28)即等效为电阻，当作为开关的第一晶体管(28)及第二晶体管(29)开路时，初级高压隔离及驱动单元(27)的基极电流通过第一晶体管(28)的漏极到衬底的正向二极管泄放，使基极电压钳在V_DD+V_BE，其中，V_BE为第一晶体管(28)漏极到衬底的二极管正向压降，V_DD为旁路电电容(13)正极的电压。

2.一种初级控制恒流恒压变换器，其特征在于，所述变换器包括：变压器(17)，初级高压隔离及驱动单元(27)，采用峰值电流模式PFWM的控制芯片(26)； 控制芯片(26)包括第一晶体管(28)、第二晶体管(29)、PFWM控制单元(30)；

所述第一晶体管(28)的漏极通过控制芯片(26)的端口OUT连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的基极B，源极连接到端口VDD，栅极由PFWM控制单元(30)控制；

所述第二晶体管(29)的源极连接到控制芯片(26)的端口GND，漏极通过端口SW连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的发射极E，栅极由PFWM控制单元(30)控制；

控制芯片(26)根据采样得到的信号，通过PFWM控制单元(30)进行处理并对由变压器(17)的初级绕组(18)、初级高压隔离及驱动单元(27)及第二晶体管(29)组成的通路中的开关管29进行开关占空比及频率控制，实现次级的恒流恒压输出；

当作为开关的第一晶体管(28)、第二晶体管(29)闭合时，第一晶体管(28)即等效为电阻，当作为开关的第一晶体管(28)及第二晶体管(29)开路时，初级高压隔离及驱动单元(27)的基极电流通过第一晶体管(28)的漏极到衬底的正向二极管泄放，使基极电压钳在V_DD+V_BE，其中，V_BE为第一晶体管(28)漏极到衬底二极管的正向压降。

3.根据权利要求2所述的初级控制恒流恒压变换器，其特征在于：

所述初级高压隔离及驱动单元(27)为NPN复合管。

4.根据权利要求2所述的初级控制恒流恒压变换器，其特征在于：

所述初级高压隔离及驱动单元(27)为NPN复合管；NPN复合管包括第一级NPN管、第二级NPN管；

第一级NPN管的集电极C1和第二级NPN管的集电极C2连接且为NPN复合管的集电极C；

第一级NPN管的发射极E1极与第二极NPN管的基极B2连接，第一级NPN管的基极B1为NPN复合管的B极，第二级NPN管的E2为NPN复合管的E极。

5.根据权利要求4所述的初级控制恒流恒压变换器，其特征在于：

第一级NPN管与第二级NPN管的电流放大倍数相同即β，NPN复合管的放大倍数即为β²。